Art

J-GLOBAL ID：201802241095186611   Reference number：18A1334316

Separation of effects of InGaN/GaN superlattice on performance of light-emitting diodes using mid-temperature-grown GaN layer

中間温度成長GaN層を用いた発光ダイオードの性能に及ぼすInGaN/GaN超格子の効果の分離

Author (5)： SUGIMOTO Kohei (UBE Ind., Ltd., Yamaguchi, JPN) ,  OKADA Narihito (Yamaguchi Univ., Yamaguchi, JPN) ,  KURAI Satoshi (Yamaguchi Univ., Yamaguchi, JPN) ,  YAMADA Yoichi (Yamaguchi Univ., Yamaguchi, JPN) ,  TADATOMO Kazuyuki (Yamaguchi Univ., Yamaguchi, JPN)
Material： Japanese Journal of Applied Physics  (JJAP)
Volume： 57  Issue： 6  Page： 062101.1-062101.5  Publication year： Jun. 2018 
JST Material Number： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United Kingdom (GBR)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *temperature ,  *gallium nitride ,  *light emitting diode ,  *indium compound ,  gallium compound ,  nitride ,  *superlattice ,  *multiple quantum well ,  electrical property ,  *electroluminescence ,  hole
Semi thesaurus term： InGaN ,  pit ,  *intermediate temperature

JST classification (2)： Semiconductor-semiconductor contacts with Gr.13-15 element compounds  (BM03082Y) ,  Light emitting devices  (NC03082G)

Reference (26)：

• S. H. Han, D. Y. Lee, H. W. Shim, J. W. Lee, D. J. Kim, S. Yoon, Y. S. Kim, and S. T. Kim, Appl. Phys. Lett. 102, 251123 (2013).
• L. C. Le, D. G. Zhao, D. S. Jiang, L. Li, L. L. Wu, P. Chen, Z. S. Liu, Z. C. Li, Y. M. Fan, J. J. Zhu, H. Wang, S. M. Zhang, and H. Yang, Appl. Phys. Lett. 101, 252110 (2012).
• J. Smalc-Koziorowska, E. Grzanka, R. Czernecki, D. Schiavon, and M. Leszczyński, Appl. Phys. Lett. 106, 101905 (2015).
• X. H. Wu, C. R. Elsass, A. Abare, M. Mack, S. Keller, P. M. Petroff, S. P. DenBaars, J. S. Speck, and S. J. Rosner, Appl. Phys. Lett. 72, 692 (1998).
• Y. Chen, T. Takeuchi, H. Amano, and I. Akasaki, Appl. Phys. Lett. 72, 710 (1998).

Terms in the title (6)： 中間温度 ,  成長 ,  GaN ,  発光ダイオード ,  InGaN ,  超格子