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J-GLOBAL ID：201802268666910817   Reference number：18A0505128

Moisture Barrier Properties of Capping Graphene for Copper Metallization

銅配線のためのグラフェンキャップ膜の耐湿バリア性

Author (10)： UENO KAZUYOSHI (芝浦工大) ,  UENO KAZUYOSHI (芝浦工大 グリーンイノベーション研究セ) ,  GOMASANG Ploybussara (芝浦工大) ,  ABE TAKUMI (芝浦工大) ,  KAWAHARA KENJI (九大 グローバルイノベーションセ) ,  WASAI YOKO (堀場テクノサービス) ,  CUONG Nguyen Thanh (物質材料研究機構 若手国際研究セ) ,  NABATOVA-GABAIN Nataliya (堀場テクノサービス) ,  AGO HIROKI (九大 グローバルイノベーションセ) ,  OKADA SUSUMU (筑波大)
Material： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
Volume： 117  Issue： 429(SDM2017 97-103)  Page： 5-9  Publication year： Feb. 01, 2018 
JST Material Number： S0532B  ISSN： 0913-5685  Document type： Proceedings
Article type： 原著論文  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *wiring ,  graphene ,  moisture resistance ,  barrier ,  *semiconductor memory ,  Copper ,  monolayer graphene
Semi thesaurus term： *copper interconnect

JST classification (2)： Semiconductor integrated circuit  (NC03162T) ,  Manufacturing technology of solid-state devices  (NC03030V)

Reference (14)：

• 佐藤信太郎、′′グラフェンとナノエレクトロニクス,′′応用物理 第82巻第12号(2013)p.1012.
• Y.Awano, ′′Present status and future prospect of nano-carbon interconnect technologies for LSIs,′′ Tech. Digests of IEDM2015 (2015) p.398.
• H. Li, C. Xu, and K. Banerjee, ′′Carbon nanomaterials for next-generation interconnects and passives: physics, status, and prospects,′′ IEEE Trans. Electron Devices 56 (2009) p.1799.
• L. Li et. al., ′′Vertical and lateral copper transport through graphene layers,′′ ACS Nano 9 (2015) p. 8361.
• L. Li et. al., ′′BEOL compatible graphene/Cu with improved electromigration lifetime for future interconnects,′′ Tech. Digests of IEDM2016 (2016) p.240.

Terms in the title (5)： 銅配線 ,  グラフェン ,  キャップ ,  耐湿 ,  バリア性