半導体装置

Inventor： , , , , ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (1)：片山修平
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2016242417
Publication number (International publication number)：2018098384
Application date： Dec. 14, 2016
Publication date： Jun. 21, 2018
Summary：

【課題】性能の高い半導体装置を提供すること。【解決手段】基板10上に設けられたグラフェン層12と、前記グラフェン層上に設けられたソース電極24およびドレイン電極26と、前記グラフェン層上に設けられたゲート絶縁膜14と、前記ソース電極と前記ドレイン電極との間における前記ゲート絶縁膜上に設けられた第1ゲート電極20と、前記第1ゲート電極と前記ドレイン電極との間であり、かつ前記基板内に設けられた第2ゲート電極22と、を具備する半導体装置。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

基板上に設けられたグラフェン層と、前記グラフェン層上に設けられたソース電極およびドレイン電極と、前記グラフェン層上に設けられたゲート絶縁膜と、前記ソース電極と前記ドレイン電極との間における前記ゲート絶縁膜上に設けられた第1ゲート電極と、前記第1ゲート電極と前記ドレイン電極との間であり、かつ前記基板内に設けられた第2ゲート電極と、を具備する半導体装置。

IPC (4)：

H01L 29/786 , H01L 21/336 , H01L 51/05 , H01L 51/30

FI (5)：

H01L29/78 617N , H01L29/78 618B , H01L29/78 626C , H01L29/28 100A , H01L29/28 250E

F-Term (26)：

5F110AA01 , 5F110DD01 , 5F110DD05 , 5F110DD21 , 5F110EE02 , 5F110EE04 , 5F110EE14 , 5F110EE15 , 5F110EE28 , 5F110EE30 , 5F110EE43 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF09 , 5F110FF22 , 5F110FF27 , 5F110FF29 , 5F110GG01 , 5F110GG25 , 5F110GG28 , 5F110GG41 , 5F110GG44 , 5F110HK02 , 5F110HK32 , 5F110HM12 , 5F110QQ14

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (8)

二層グラフェントンネル電界効果トランジスタ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2014-239027 Applicant：アイメック, カトリーケ・ユニフェルシテイト・ルーヴァン
半導体装置およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2003-345750 Applicant：富士通株式会社
グラフェン素子及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2015-075897 Applicant：三星電子株式会社

Show all

Cited by examiner (8)

二層グラフェントンネル電界効果トランジスタ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2014-239027 Applicant：アイメック, カトリーケ・ユニフェルシテイト・ルーヴァン
半導体装置およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2003-345750 Applicant：富士通株式会社
グラフェン素子及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2015-075897 Applicant：三星電子株式会社

Show all

Return to Previous Page