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J-GLOBAL ID：201803004656870789

半導体ナノ粒子およびその製造方法

Inventor： 桑畑 進 ,  上松 太郎 ,  輪島 知卓 ,  鳥本 司 ,  亀山 達矢 ,  小谷松 大祐 ,  仁木 健太
Applicant, Patent owner： 国立大学法人大阪大学 ,  国立大学法人名古屋大学 ,  日亜化学工業株式会社
Agent (2)： 鮫島 睦 ,  玄番 佐奈恵
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2017037487
Publication number (International publication number)：2018044142
Application date： Feb. 28, 2017
Publication date： Mar. 22, 2018
Summary：

【課題】低毒性の組成とし得る三元系ないし四元系の量子ドットからバンド端発光が得られる構成を備えた、半導体ナノ粒子及びその製造方法を提供する。【解決手段】コアと、コアの表面を覆いコアよりもバンドギャップエネルギーが大きくかつコアとヘテロ接合するシェルと、を備え、光が照射されると発光する半導体ナノ粒子であって、コアが、M1、M2、およびZを含む半導体であって、M1が、Ag、CuおよびAuからなる群より選ばれる少なくとも一種の元素であり、M2が、Al、Ga、InおよびTlからなる群より選ばれる少なくとも一種の元素であり、Zが、S、SeおよびTeからなる群より選ばれる少なくとも一種の元素である半導体からなり、シェルが、第13族元素および第16族元素を含む半導体である半導体ナノ粒子である。【選択図】なし

Claim (excerpt)：

コアと、前記コアの表面を覆い前記コアよりもバンドギャップエネルギーが大きくかつ前記コアとヘテロ接合するシェルと、を備え、光が照射されると発光する半導体ナノ粒子であって、 前記コアが、M1、M2、およびZを含む半導体であって、M1が、Ag、CuおよびAuからなる群より選ばれる少なくとも一種の元素であり、M2が、Al、Ga、InおよびTlからなる群より選ばれる少なくとも一種の元素であり、Zが、S、SeおよびTeからなる群より選ばれる少なくとも一種の元素である半導体からなり、 前記シェルが、実質的に第13族元素および第16族元素からなる半導体である半導体ナノ粒子。

IPC (5)：

C09K 11/08 ,  H01L 33/50 ,  C09K 11/62 ,  B82Y 20/00 ,  B82Y 40/00

FI (5)：

C09K11/08 G ,  H01L33/50 ,  C09K11/62 ,  B82Y20/00 ,  B82Y40/00

F-Term (39)：

4H001CA04 ,  4H001CC07 ,  4H001XA13 ,  4H001XA16 ,  4H001XA29 ,  4H001XA30 ,  4H001XA31 ,  4H001XA34 ,  4H001XA47 ,  4H001XA48 ,  4H001XA49 ,  4H001XA52 ,  4H001XA79 ,  4H001XA81 ,  5F142AA81 ,  5F142BA02 ,  5F142CG03 ,  5F142CG23 ,  5F142CG24 ,  5F142CG32 ,  5F142CG42 ,  5F142DA02 ,  5F142DA12 ,  5F142DA13 ,  5F142DA14 ,  5F142DA15 ,  5F142DA22 ,  5F142DA23 ,  5F142DA32 ,  5F142DA35 ,  5F142DA36 ,  5F142DA64 ,  5F142DA73 ,  5F142DA74 ,  5F142FA24 ,  5F142FA26 ,  5F142FA28 ,  5F142GA12 ,  5F142GA14

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (8)

• 硫化/セレン化銅インジウムガリウムコーティングおよび膜を製造するためのインクおよび方法
  Gazette classification：公表公報   Application number：特願2013-542175   Applicant：イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニー
• テルル化合物ナノ粒子及びその製法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2014-068504   Applicant：国立大学法人名古屋大学
• 多層を基にした電気活性膜の製造
  Gazette classification：公表公報   Application number：特願2010-503584   Applicant：ナノコテクノロジーズリミテッド
• 半導体ナノ粒子の製造方法、および半導体ナノ粒子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2008-193539   Applicant：国立大学法人大阪大学
• 半導体ナノ粒子及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2010-047359   Applicant：IDEC株式会社, 国立大学法人大阪大学, 国立大学法人名古屋大学, 神戸天然物化学株式会社
• 半導体ナノ粒子及び生体試料標識用蛍光プローブ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2013-060365   Applicant：国立大学法人名古屋大学
• 半導体ナノ粒子及びその製造方法、並びに半導体ナノ粒子を用いた蛍光プローブ、LED装置、波長変換フィルム、及び光電変換装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2016-001703   Applicant：コニカミノルタ株式会社
• 波長変換器、照明装置および照明装置集合体
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2006-296848   Applicant：京セラ株式会社

Cited by examiner (6)

• 硫化/セレン化銅インジウムガリウムコーティングおよび膜を製造するためのインクおよび方法
  Gazette classification：公表公報   Application number：特願2013-542175   Applicant：イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニー
• テルル化合物ナノ粒子及びその製法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2014-068504   Applicant：国立大学法人名古屋大学
• 多層を基にした電気活性膜の製造
  Gazette classification：公表公報   Application number：特願2010-503584   Applicant：ナノコテクノロジーズリミテッド
• 半導体ナノ粒子の製造方法、および半導体ナノ粒子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2008-193539   Applicant：国立大学法人大阪大学
• 半導体ナノ粒子及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2010-047359   Applicant：IDEC株式会社, 国立大学法人大阪大学, 国立大学法人名古屋大学, 神戸天然物化学株式会社
• 半導体ナノ粒子及び生体試料標識用蛍光プローブ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2013-060365   Applicant：国立大学法人名古屋大学