抵抗変化素子

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (3)：加藤朝道 , 内田潔人 , 青木充
Gazette classification：特許公報
Application number (International application number)：2013241741
Publication number (International publication number)：2015103601
Patent number：6319553
Application date： Nov. 22, 2013
Publication date： Jun. 04, 2015
Claim (excerpt)：

【請求項1】第1電極及び第2電極と、酸素及び第1金属を含む抵抗変化層と、前記第2電極と前記抵抗変化層との間に配されるとともに、酸素及び前記第1金属とは異なる第2金属を含み、かつ、比抵抗が100μΩ・cmより大きくかつ1000μΩ・cm以下である抵抗層と、前記第1電極と前記抵抗変化層との間に配されるとともに、前記抵抗層から前記抵抗変化層へ供給される酸素の前記第1電極への拡散を妨げる特性を有する拡散防止層と、を備えることを特徴とする抵抗変化素子。

IPC (6)：

H01L 21/8239 ( 200 6.01) , H01L 27/105 ( 200 6.01) , H01L 27/10 ( 200 6.01) , H01L 45/00 ( 200 6.01) , H01L 49/00 ( 200 6.01) , G11C 13/00 ( 200 6.01)

FI (6)：

H01L 27/105 448 , H01L 27/10 481 , H01L 45/00 Z , H01L 49/00 Z , G11C 13/00 215 , G11C 13/00 360

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (6)

不揮発性記憶装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2011-109936 Applicant：株式会社東芝
メモリ素子およびその製造方法
Gazette classification：公表公報 Application number：特願2009-540136 Applicant：韓國電子通信研究院
誘電膜、キャパシタ、その製造方法、半導体素子及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2002-235057 Applicant：株式会社ハイニックスセミコンダクター

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Cited by examiner (6)

不揮発性記憶装置
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メモリ素子およびその製造方法
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