Pat

J-GLOBAL ID：201003001496790955

メモリ素子およびその製造方法

Inventor： チェ ソン-ユル ,  リュ ミン-ギ ,  ジョン フ-ヨン
Applicant, Patent owner： 韓國電子通信研究院
Agent (2)： 谷 義一 ,  阿部 和夫
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2009540136
Publication number (International publication number)：2010512018
Application date： Nov. 28, 2007
Publication date： Apr. 15, 2010
Summary：

トラップ制御型空間電荷制限電流(trap-controlled space charge limit current)を利用した抵抗変化型不揮発性メモリ素子、およびその製造方法を提供する。本発明に係るメモリ素子は、下部電極と、前記下部電極上に形成された電極と誘電体薄膜との間の拡散防止膜と、前記電極と誘電体薄膜との間の拡散防止膜上に形成され、電荷トラップの密度が異なる複数の層構造を有する誘電体薄膜と、前記誘電体薄膜上に形成された上部電極とを備える。

Claim (excerpt)：

下部電極と、 前記下部電極上に形成された電極と誘電体薄膜との間の拡散防止膜と、 前記電極と誘電体薄膜との間の拡散防止膜上に形成され、電荷トラップの密度が異なる複数の層構造を有する誘電体薄膜と、 前記誘電体薄膜上に形成された上部電極と、 を備えることを特徴とするメモリ素子。

IPC (3)：

H01L 27/10 ,  H01L 45/00 ,  H01L 49/00

FI (3)：

H01L27/10 451 ,  H01L45/00 Z ,  H01L49/00 Z

F-Term (18)：

5F083FZ10 ,  5F083GA09 ,  5F083GA21 ,  5F083GA25 ,  5F083GA27 ,  5F083JA36 ,  5F083JA37 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083JA43 ,  5F083JA44 ,  5F083JA56 ,  5F083JA58 ,  5F083JA60 ,  5F083PR21 ,  5F083PR22 ,  5F083PR25 ,  5F083PR29

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

• 強誘電体ダイオード素子、並びにそれを用いたメモリー装置、フィルター素子及び疑似脳神経回路
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-055951   Applicant：三菱化学株式会社
• 不揮発性記憶素子及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2005-146125   Applicant：シャープ株式会社
• バッファ化層メモリセル
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2004-259085   Applicant：シャープ株式会社
• 段階的な抵抗値を有する多層構造を利用したメモリ素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2005-130645   Applicant：三星電子株式会社
• 抵抗変化素子およびその製造方法、ならびにそれを用いた抵抗変化型メモリ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2006-190862   Applicant：松下電器産業株式会社
• 半導体記憶装置及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2003-192498   Applicant：株式会社東芝