不揮発性記憶装置

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：日向寺雅彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2011109936
Publication number (International publication number)：2012243826
Application date： May. 16, 2011
Publication date： Dec. 10, 2012
Summary：

【課題】低コストで量産性に優れた不揮発性記憶装置を提供する。【解決手段】実施形態の不揮発性記憶装置は、下側電極膜と、前記下側電極膜の上に設けられ、第1酸化物を含有する第1記憶素子膜と、前記第1記憶素子膜の上に設けられた上側電極膜と、を有する第1状態と、もしくは、前記下側電極膜と、前記下側電極膜の上に設けられた前記第1記憶素子膜と、前記第1記憶素子膜の上に設けられ、第2酸化物を含有する第2記憶素子膜と、前記第2記憶素子膜の上に設けられた前記上側電極膜と、を有する第2状態と、を維持することが可能である。前記第2記憶素子膜に含まれる酸素濃度は、前記第1記憶素子膜に含まれる酸素濃度よりも高い。前記第2状態における前記下側電極膜と前記上側電極膜との間の抵抗は、前記第1状態における前記下側電極膜と前記上側電極膜との間の抵抗よりも高い。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

積層膜構造を含む記憶セルを備え、前記積層膜構造は、下側電極膜と、前記下側電極膜の上に設けられ、第1酸化物を含有する第1記憶素子膜と、前記第1記憶素子膜の上に設けられた上側電極膜と、を有する第1状態と、もしくは、前記下側電極膜と、前記下側電極膜の上に設けられた前記第1記憶素子膜と、前記第1記憶素子膜の上に設けられ、第2酸化物を含有する第2記憶素子膜と、前記第2記憶素子膜の上に設けられた前記上側電極膜と、を有する第2状態と、を維持することが可能であり、前記下側電極膜もしくは前記上側電極膜が酸化膜に変化する場合の酸素原子1個あたりの標準生成ギブス自由エネルギーの絶対値は、前記第1記憶素子膜に含まれる前記第1酸化物の酸素原子1個あたりの標準生成ギブス自由エネルギーの絶対値よりも小さく、前記第2記憶素子膜に含まれる前記第2酸化物の酸素原子1個あたりの標準生成ギブス自由エネルギーの絶対値は、前記上側電極膜が前記酸化膜に変化する場合の酸素原子1個あたりの標準生成ギブス自由エネルギーの絶対値よりも大きく、前記第2記憶素子膜に含まれる酸素濃度は、前記第1記憶素子膜に含まれる酸素濃度よりも高く、前記第2状態における前記下側電極膜と前記上側電極膜との間の抵抗は、前記第1状態における前記下側電極膜と前記上側電極膜との間の抵抗よりも高いことを特徴とする不揮発性記憶装置。

IPC (3)：

H01L 27/105 , H01L 45/00 , H01L 49/00

FI (3)：

H01L27/10 448 , H01L45/00 Z , H01L49/00 Z

F-Term (8)：

5F083FZ10 , 5F083GA11 , 5F083JA36 , 5F083JA37 , 5F083JA38 , 5F083JA39 , 5F083JA40 , 5F083JA60

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

抵抗変化素子およびその製造方法、ならびにそれを用いた抵抗変化型メモリ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2006-190862 Applicant：松下電器産業株式会社
可変抵抗素子および抵抗変化型メモリ装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2006-200638 Applicant：セイコーエプソン株式会社
ヘテロ接合酸化物の不揮発性メモリデバイス
Gazette classification：公表公報 Application number：特願2012-507481 Applicant：4ディー-エスピーティワイリミテッド

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