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J-GLOBAL ID：201803013042065617
半導体構造物、半導体装置及び該半導体構造物の製造方法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
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Agent (1)：
塩田 伸
Gazette classification：特許公報
Application number (International application number)：2013158582
Publication number (International publication number)：2014045183
Patent number：6264768
Application date： Jul. 31, 2013
Publication date： Mar. 13, 2014
Claim (excerpt)：
【請求項1】 少なくとも、α型の結晶構造を有し、不純物としてアルミニウムのみを1×1019cm-3以上の不純物濃度で含み、比抵抗が100mΩcm以下であり、かつ厚みが50μm以上であるエピタキシャル層としてのp型炭化珪素単結晶層を有することを特徴とする半導体構造物。
IPC (5)：
H01L 21/205 ( 200 6.01)
, H01L 29/12 ( 200 6.01)
, H01L 29/78 ( 200 6.01)
, H01L 21/336 ( 200 6.01)
, H01L 29/739 ( 200 6.01)
H01L 21/205
, H01L 29/78 652 T
, H01L 29/78 658 E
, H01L 29/78 655 Z
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