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J-GLOBAL ID：201803013042065617

半導体構造物、半導体装置及び該半導体構造物の製造方法

Inventor： 児島 一聡 ,  紀 世陽 ,  宮澤 哲哉 ,  土田 秀一 ,  中山 浩二 ,  逸見 哲郎 ,  浅野 勝則
Applicant, Patent owner： 国立研究開発法人産業技術総合研究所 ,  一般財団法人電力中央研究所
Agent (1)： 塩田 伸
Gazette classification：特許公報
Application number (International application number)：2013158582
Publication number (International publication number)：2014045183
Patent number：6264768
Application date： Jul. 31, 2013
Publication date： Mar. 13, 2014
Claim (excerpt)：

【請求項1】 少なくとも、α型の結晶構造を有し、不純物としてアルミニウムのみを1×1019cm-3以上の不純物濃度で含み、比抵抗が100mΩcm以下であり、かつ厚みが50μm以上であるエピタキシャル層としてのp型炭化珪素単結晶層を有することを特徴とする半導体構造物。

IPC (5)：

H01L 21/205 ( 200 6.01) ,  H01L 29/12 ( 200 6.01) ,  H01L 29/78 ( 200 6.01) ,  H01L 21/336 ( 200 6.01) ,  H01L 29/739 ( 200 6.01)

FI (4)：

H01L 21/205 ,  H01L 29/78 652 T ,  H01L 29/78 658 E ,  H01L 29/78 655 Z

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

• 半導体基板および半導体装置、半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2007-306029   Applicant：株式会社東芝
• p型SiC半導体単結晶の製造方法およびそれにより製造されたp型SiC半導体単結晶
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2008-018027   Applicant：トヨタ自動車株式会社
• バイポーラ半導体素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2010-170617   Applicant：関西電力株式会社, 財団法人電力中央研究所
• 炭化珪素半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2008-022001   Applicant：株式会社東芝
• 炭化珪素単結晶成長用種結晶とその製造方法及びそれを用いた結晶成長方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2004-134305   Applicant：新日本製鐵株式会社
• バイポーラ型半導体装置およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2005-211296   Applicant：関西電力株式会社, 財団法人電力中央研究所