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J-GLOBAL ID：201803015706336543

接合構造体、及び接合構造体の製造方法

Inventor： 菅沼 克昭 ,  長尾 至成 ,  呉 哲ミン
Applicant, Patent owner： 国立大学法人大阪大学
Agent (1)： 前井 宏之
Gazette classification：特許公報
Application number (International application number)：2015560078
Patent number：6284164
Application date： Feb. 03, 2015
Claim (excerpt)：

【請求項1】 基板と、 金属膜と、 半導体素子と、 前記基板と前記金属膜との間および前記金属膜と前記半導体素子との間のうちの少なくとも一方に設けられた接着層と を含む接合構造体であって、 前記金属膜を構成する金属はストレスマイグレーションによって拡散しており、 前記基板と前記半導体素子とが前記金属膜を介して接合されている、接合構造体。

IPC (2)：

H01L 21/52 ( 200 6.01) ,  B23K 1/00 ( 200 6.01)

FI (3)：

H01L 21/52 A ,  H01L 21/52 C ,  B23K 1/00 330 E

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

• 半導体素子を有する半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2010-150214   Applicant：株式会社神戸製鋼所
• 接合構造体、及び、接合構造体の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2014-248918   Applicant：国立大学法人大阪大学

Cited by examiner (2)

• 半導体素子を有する半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2010-150214   Applicant：株式会社神戸製鋼所
• 接合構造体、及び、接合構造体の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2014-248918   Applicant：国立大学法人大阪大学

Article cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

• ストレスマイグレーションによるAgヒロック生成に及ぼす保護膜の影響

Cited by examiner (1)

• ストレスマイグレーションによるAgヒロック生成に及ぼす保護膜の影響