半導体装置の製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：特許業務法人筒井国際特許事務所
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2017100274
Publication number (International publication number)：2018195767
Application date： May. 19, 2017
Publication date： Dec. 06, 2018
Summary：

【課題】HfおよびZrの少なくとも一方とOとを主成分とする金属酸化膜の強誘電性を発現させる。【解決手段】半導体基板1S上に絶縁膜2を介して酸化ハフニウム膜3を堆積した後、半導体基板1Sに対してマイクロ波MWを照射して酸化ハフニウム膜3を選択的に加熱する。これにより、酸化ハフニウム膜3の結晶中に斜方晶をより多く形成することができるので、酸化ハフニウム膜3にSi等のような不純物を添加しなくても、酸化ハフニウム膜3の強誘電性を発現させることができる。すなわち、逆サイズ効果を有する酸化ハフニウム膜3を強誘電体メモリセルの強誘電体膜として使用できるので、強誘電体メモリセルの微細化を実現することができる。【選択図】図2

Claim (excerpt)：

(a)半導体基板上に、HfおよびZrの少なくとも一方とOとを主成分とする金属酸化膜を堆積する工程、 (b)前記金属酸化膜上に導体膜を堆積する工程、 (c)前記金属酸化膜にマイクロ波加熱処理を施す工程、を有する半導体装置の製造方法。

IPC (8)：

H01L 27/115 , H01L 21/336 , H01L 29/78 , H01L 21/823 , H01L 27/06 , H01L 27/088 , H01L 21/283 , H01L 21/316

FI (10)：

H01L27/11507 , H01L27/1159 , H01L29/78 301F , H01L29/78 301M , H01L27/06 102A , H01L27/088 C , H01L27/088 H , H01L21/283 C , H01L21/283 B , H01L21/316 X

F-Term (95)：

4M104AA01 , 4M104BB01 , 4M104BB18 , 4M104CC01 , 4M104CC05 , 4M104DD02 , 4M104DD37 , 4M104DD43 , 4M104EE03 , 4M104EE06 , 4M104EE09 , 4M104EE14 , 4M104EE15 , 4M104EE16 , 4M104EE17 , 4M104FF21 , 4M104GG09 , 4M104GG16 , 4M104HH14 , 5F048AB01 , 5F048AC10 , 5F048BA01 , 5F048BB05 , 5F048BB09 , 5F048BB11 , 5F048BB12 , 5F048BC06 , 5F048BD06 , 5F048BF07 , 5F048BF11 , 5F048BF16 , 5F048BG13 , 5F048DA25 , 5F058BA11 , 5F058BC03 , 5F058BF04 , 5F058BF12 , 5F058BF37 , 5F058BH01 , 5F083FR02 , 5F083FR06 , 5F083GA09 , 5F083JA02 , 5F083JA03 , 5F083JA34 , 5F083JA36 , 5F083JA39 , 5F083JA40 , 5F083JA56 , 5F083MA06 , 5F083MA17 , 5F083MA18 , 5F083MA19 , 5F083NA01 , 5F083PR03 , 5F083PR12 , 5F083PR21 , 5F083PR22 , 5F083PR29 , 5F083PR33 , 5F083PR36 , 5F083ZA20 , 5F140AA39 , 5F140AB09 , 5F140AC32 , 5F140BB05 , 5F140BC15 , 5F140BD01 , 5F140BD05 , 5F140BD09 , 5F140BD11 , 5F140BD17 , 5F140BE07 , 5F140BE09 , 5F140BE10 , 5F140BE15 , 5F140BE16 , 5F140BE18 , 5F140BF01 , 5F140BF04 , 5F140BF10 , 5F140BF11 , 5F140BF14 , 5F140BG08 , 5F140BG12 , 5F140BG28 , 5F140BG32 , 5F140BG37 , 5F140BH15 , 5F140BK13 , 5F140CA03 , 5F140CB04 , 5F140CC03 , 5F140CC12 , 5F140CE07

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

半導体装置の製造方法及び基板処理装置システム
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2010-227649 Applicant：株式会社日立国際電気
オンチップメモリセルおよびその製造方法
Gazette classification：公表公報 Application number：特願2009-551901 Applicant：インテル・コーポレーション
強誘電体メモリセルを形成する方法および関連する半導体デバイス構造
Gazette classification：公表公報 Application number：特願2016-541993 Applicant：マイクロンテクノロジー,インク.

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

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