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J-GLOBAL ID：201703001867989603

強誘電体メモリセルを形成する方法および関連する半導体デバイス構造

Inventor： タオ,チエン ,  ロックレイン,マシュー エヌ. ,  クック,ベス アール. ,  ラマスワミ,ドゥライ ヴィシャーク ニルマル
Applicant, Patent owner： マイクロン テクノロジー, インク.
Agent (2)： 大菅 義之 ,  野村 泰久
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2016541993
Publication number (International publication number)：2016534575
Application date： Aug. 27, 2014
Publication date： Nov. 04, 2016
Summary：

強誘電体メモリセルを形成する方法。方法は、望まれる優位な結晶配向を示す電極材料を形成することを含む。ハフニウム系材料が電極材料の上に形成され、ハフニウム系材料は、望まれる結晶配向を有する強誘電材料の形成を誘導するために結晶化される。強誘電材料を含む半導体デバイス構造とともに、追加の方法も記載される。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

強誘電体メモリセルを形成する方法であって、 望まれる優位な(優勢な)結晶配向を示す電極材料を形成することと、 前記電極材料の上にハフニウム系材料を形成することと、 望まれる結晶配向を有する強誘電材料の形成を誘導するために、前記ハフニウム系材料を結晶化することと、 を含む、 方法。

IPC (2)：

H01L 21/824 ,  H01L 27/105

FI (1)：

H01L27/10 444C

F-Term (10)：

5F083FR01 ,  5F083FR02 ,  5F083GA11 ,  5F083GA21 ,  5F083HA02 ,  5F083JA02 ,  5F083JA35 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083JA60

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

• 強誘電体薄膜の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2012-073402   Applicant：三菱マテリアル株式会社
• 強誘電体メモリ装置、強誘電体メモリ装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2006-069095   Applicant：セイコーエプソン株式会社
• 半導体装置及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2008-289773   Applicant：パナソニック株式会社
• 強誘電体メモリおよび強誘電体メモリ製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-319296   Applicant：日本電気株式会社
• 半導体装置および誘電体膜
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2013-140431   Applicant：株式会社東芝
• 強誘電体膜、電子部品及び強誘電体膜の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2009-173435   Applicant：株式会社ユーテック

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• Hafnium Oxide Based CMOS Compatible Ferroelectric Materials