半導体装置の製造方法及び基板処理装置システム

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：特許業務法人アイ・ピー・エス
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2010227649
Publication number (International publication number)：2012084602
Application date： Oct. 07, 2010
Publication date： Apr. 26, 2012
Summary：

【課題】絶縁膜中の欠陥を低減する半導体装置の製造方法及び基板処理装置システムを提供する。【解決手段】金属膜としてのTiN膜及び絶縁膜としてのZrO2膜が形成されたウエハを処理室へ搬入し、この処理室にZrO2膜を改質する改質ガスとしてO2を供給し、このウエハに電磁波を照射することにより、ZrO2膜を構成する双極子を励起してZrO2膜を改質し、ウエハを処理室から搬出する。【選択図】図10

Claim (excerpt)：

2種以上の元素を含む双極子で構成される薄膜が形成された基板を処理室へ搬入する工程と、前記処理室に薄膜を改質する改質ガスを供給する工程と、前記基板に電磁波を照射することにより、薄膜を構成する双極子を励起して薄膜を改質する工程と、前記基板を前記処理室から搬出する工程と、を有する半導体装置の製造方法。

IPC (3)：

H01L 21/316 , H01L 21/31 , C23C 16/56

FI (5)：

H01L21/316 P , H01L21/31 B , H01L21/31 , H01L21/316 X , C23C16/56

F-Term (37)：

4K030AA03 , 4K030AA11 , 4K030AA13 , 4K030AA14 , 4K030AA18 , 4K030BA18 , 4K030BA22 , 4K030BA38 , 4K030BA42 , 4K030DA08 , 4K030HA01 , 4K030KA41 , 4K030LA15 , 5F045AA06 , 5F045AB31 , 5F045AC08 , 5F045AC09 , 5F045AC11 , 5F045AD05 , 5F045AD06 , 5F045AE23 , 5F045AE25 , 5F045DP19 , 5F045DP28 , 5F045EE19 , 5F045EF09 , 5F045HA16 , 5F045HA17 , 5F045HA24 , 5F058BC03 , 5F058BD05 , 5F058BF04 , 5F058BF27 , 5F058BF29 , 5F058BF37 , 5F058BH03 , 5F058BJ04

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (7)

半導体装置及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2003-000573 Applicant：松下電器産業株式会社
強誘電性メモリ回路の形成方法及び強誘電性コンデンサの形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-035838 Applicant：ラムトロン・インターナショナル・コーポレーション
薄膜半導体素子の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-164306 Applicant：松下電器産業株式会社

Show all

Return to Previous Page