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J-GLOBAL ID：201902237133007888   Reference number：19A0598764

室温原子層堆積法によるSnO₂膜作製とデバイス応用

Author (7)： SAITO SHUNSUKE (山形大 大学院理工学研究科) ,  SOGAI KEITO (山形大 大学院理工学研究科) ,  YOSHIDA KAZUKI (山形大 大学院理工学研究科) ,  KANOMATA KENSAKU (山形大 大学院理工学研究科) ,  MIURA MASANORI (山形大 大学院理工学研究科) ,  ARIMA BOSHIRUAHANMADO (山形大 大学院理工学研究科) ,  HIROSE FUMIHIKO (山形大 大学院理工学研究科)
Material： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
Volume： 118  Issue： 461(CPM2018 101-120)  Page： 33-36  Publication year： Feb. 21, 2019 
JST Material Number： S0532B  ISSN： 0913-5685  Document type： Proceedings
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *chemical vapor deposition ,  monoatomic layer ,  room temperature ,  tin oxide ,  oxide ,  thin film ,  *thin film transistor ,  *gas sensor
Semi thesaurus term： *ALD

JST classification (3)： Semiconductor thin films  (BK14040E) ,  Transistors  (NC03070N) ,  Measuring instruments in general  (AD02000X)

Reference (8)：

• Dong-won Choi, Jin-Seong Park, Highly conductive SnO₂ thin films deposited by atomic layer deposition using tetrakis-dimethyl-amine-tin precursor and ozone reactant, Surface & Coatings Technology 259 (2014) 238-243.
• 吉田貞史,近藤高志,薄膜工学 第2版,丸善出版,(2011).
• 菊地航,山形大学大学院理工学研究科,修士学位論文 2018.
• Jeffrey W. Elam, David A. Baker, Alexander J. Hryn, Alex B. F. Martinson, Michael J. Pellin, Joseph T. Hupp, Atomic layer deposition of tin oxide films using tetrakis(dimethylamino)tin, J. Vac. Sci. Technol. A 26(2), Mar/Apr 2008.
• Min-Jung Choi, Cheol Jin Cho, Kwang-Chon Kim, Jung Joon Pyeon, Hyung-Ho Park, Hyo-Suk Kim, Jeong Hwan Han, Chang Gyoun Kim, Taek-Mo Chung, Tae Joo Park, Beomjin Kwon, Doo Seok Jeong, Seung-Hyub Baek, Chong-Yun Kang, Jin-Sang Kim, Seong Keun Kim, SnO₂ thin films grown by atomic layer deposition using a novel Sn precursor, Applied Surface Science 320 (2014) 188-194.

Terms in the title (5)： 室温 ,  原子層堆積法 ,  SnO2 ,  作製 ,  応用