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J-GLOBAL ID：201902252391169726   Reference number：19A1796903

Reduction and uniformization of the resistivity of Ga-doped ZnO by combining short-gap magnetron sputtering and buffer layer

ショートギャップマグネトロンスパッタリングとバッファー層の組み合わせによるGaドープZnOの抵抗率の低減と均一化

Author (7)： MATSUDA Yoshinobu (Nagasaki Univ., Nagasaki, JPN) ,  MATSUO Naoki (Nagasaki Univ., Nagasaki, JPN) ,  SAKAMOTO Kohei (Nagasaki Univ., Nagasaki, JPN) ,  SHINOHARA Masanori (Nagasaki Univ., Nagasaki, JPN) ,  SHINOHARA Masanori (National Inst. of Technol., Nagasaki, JPN) ,  FURUSATO Tomohiro (Nagasaki Univ., Nagasaki, JPN) ,  YAMASHITA Takahiko (Nagasaki Univ., Nagasaki, JPN)
Material： Japanese Journal of Applied Physics  (JJAP)
Volume： 58  Issue： SE  Page： SEED04.1-SEED04.5  Publication year： Jun. 2019 
JST Material Number： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United Kingdom (GBR)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： magnetron sputtering ,  buffer layer ,  *Gallium ,  *doping ,  zinc oxide ,  *electrical resistivity
Semi thesaurus term： ZnO ,  resistivity ,  *低抵抗化 ,  equalizing

JST classification (2)： Semiconductor thin films  (BK14040E) ,  Electric conduction in crystalline semiconductors  (BM03043X)

Reference (32)：

• J. Aranovich, A. Ortiz, and R. H. Bube, J. Vac. Sci. Technol. A 16, 994 (1979).
• J. B. Webb, D. F. Williams, and M. Buchanan, Appl. Phys. Lett. 39, 105 (1981).
• T. Minami, H. Nanto, and S. Takata, Appl. Phys. Lett. 41, 958 (1982).
• T. Minami, H. Nanto, and S. Takata, Jpn. J. Appl. Phys. 23, L280 (1984).
• T. Minami, H. Sato, H. Nanto, and S. Takata, Jpn. J. Appl. Phys. 24, L781 (1985).

Terms in the title (7)： バッファー層 ,  組み合わせ ,  Ga ,  ドープ ,  ZnO ,  抵抗率 ,  均一化