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J-GLOBAL ID：201902282764215151   Reference number：19A2331892

Growth of 3C-SiC(111) on AlN/off-axis Si(110) hetero-structure and formation of epitaxial graphene thereon

AlN/オフアクシスSi(110)ヘテロ構造上の3C-SiC(111)の成長とその上へのエピタキシャルグラフェンの形成

Author (4)： NARITA Syunki (Hirosaki Univ., Aomori, JPN) ,  NARA Yuki (Hirosaki Univ., Aomori, JPN) ,  ENTA Yoshiharu (Hirosaki Univ., Aomori, JPN) ,  NAKAZAWA Hideki (Hirosaki Univ., Aomori, JPN)
Material： Japanese Journal of Applied Physics  (JJAP)
Volume： 58  Issue： SI  Page： SIIA16.1-SIIA16.8  Publication year： Aug. 2019 
JST Material Number： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United Kingdom (GBR)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *aluminum nitride ,  crystal orientation ,  device structure ,  *silicon carbide ,  *epitaxy ,  *graphene ,  pulsed laser deposition ,  RHEED ,  twin ,  annealing (heat treatment) ,  X-ray photoelectron spectroscopy ,  hetero-structure ,  *3C-silicon carbide
Semi thesaurus term： *AlN ,  crystal orientation ,  *3C-SiC ,  epitaxial growth ,  reflection high energy electron diffraction ,  annealing treatment ,  XPS

JST classification (1)： Thin films of other inorganic compounds  (BK14060A)

Reference (35)：

• M. Suemitsu, Y. Miyamoto, H. Handa, and A. Konno, e-J. Surf. Sci. Nanotechnol. 7, 311 (2009).
• Y. Miyamoto et al., e-J. Surf. Sci. Nanotechnol. 7, 107 (2009).
• H. Fukidome, Y. Miyamoto, H. Handa, E. Saito, and M. Suemitsu, Jpn. J. Appl. Phys. 49, 01AH03 (2010).
• K. Zekentes, N. Becourt, M. Androulidaki, K. Tsagaraki, J. Stoemenos, J. M. Bluet, J. Camassel, and J. Pascual, Appl. Surf. Sci. 102, 22 (1996).
• J. Chaudhuri, X. Cheng, C. Yuan, and A. J. Steckl, Thin Solid Films 292, 1 (1997).

Terms in the title (6)： AlN ,  Si ,  ヘテロ構造 ,  3C-SiC ,  成長 ,  エピタキシャルグラフェン