Art

J-GLOBAL ID：201902289536903565   Reference number：19A1522555

Operation of thin-film thermoelectric generator of Ge-rich poly-Ge_1-x Sn_x on SiO₂ fabricated by a low thermal budget process

低熱収支プロセスにより作製したSiO₂上のGeリッチポリGe_1-xSn_xの薄膜熱電発電機の運転

Author (8)： TAKAHASHI Kouta (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  TAKAHASHI Kouta (JSPS, Tokyo, JPN) ,  IKENOUE Hiroshi (Kyushu Univ., Fukuoka, JPN) ,  SAKASHITA Mitsuo (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  NAKATSUKA Osamu (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  ZAIMA Shigeaki (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  KUROSAWA Masashi (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  KUROSAWA Masashi (JST-PRESTO, Saitama, JPN)
Material： Applied Physics Express  (APEX)
Volume： 12  Issue： 5  Page： 051016.1-051016.5  Publication year： May. 2019 
JST Material Number： F0599C  ISSN： 1882-0778  CODEN： APEPC4  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United Kingdom (GBR)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： heat balance ,  silicon dioxide ,  *thermoelectric device ,  semiconductor thin film ,  *generator ,  crystallization ,  dopant ,  activation ,  pulsed laser irradiation ,  ultraviolet laser ,  power factor ,  indium phosphide ,  epitaxy
Semi thesaurus term： *silicon germanium thermoelectric device ,  *thermoelectric generator ,  epitaxial growth

JST classification (2)： Semiconductor thin films  (BK14040E) ,  Thermoelectric devices  (NC03090J)

Reference (60)：

• M. Nomura, Y. Kage, D. Müller, D. Moser, and O. Paul, Appl. Phys. Lett. 106, 223106 (2015).
• Y. Nakamura et al., Nano Energy 12, 845 (2015).
• S. Hashimoto, S. Asada, T. Xu, S. Oba, Y. Himeda, R. Yamato, T. Matsukawa, T. Matsuki, and T. Watanabe, Appl. Phys. Lett. 111, 023105 (2017).
• T. Watanabe et al., Proc. of Technical Papers of 2017 IEEE Electron Device Technology and Manufacturing Conf., 2017, p. 86.
• T. Taniguchi, T. Ishibe, H. Miyamoto, Y. Yamashita, and Y. Nakamura, Appl. Phys. Express 11, 111301 (2018).

Terms in the title (7)： 熱収支 ,  プロセス ,  作製 ,  SiO2 ,  Ge ,  薄膜 ,  熱電発電機