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J-GLOBAL ID：201903002407716197

単結晶ダイヤモンド基板を含む積層体

Inventor： 大曲 新矢 ,  山田 英明 ,  梅沢 仁 ,  坪内 信輝 ,  茶谷原 昭義 ,  杢野 由明 ,  関 章憲 ,  川井 文彰 ,  斎藤 広明
Applicant, Patent owner： 国立研究開発法人産業技術総合研究所 ,  トヨタ自動車株式会社
Agent (2)： 田中 順也 ,  水谷 馨也
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2018004027
Publication number (International publication number)：2019125639
Application date： Jan. 15, 2018
Publication date： Jul. 25, 2019
Summary：

【課題】接合境界部を有する単結晶ダイヤモンド基板を用いているにも拘わらず、当該接合境界部を有効に利用した、新規な積層体を提供する。【解決手段】 接合境界部を有する単結晶ダイヤモンド基板の上に、少なくとも半導体ドリフト層が積層された積層体であって、 前記単結晶ダイヤモンド基板の前記接合境界部は、レーザ励起波長785nmでのラマンスペクトルにおいて、ダイヤモンドに起因する1332cm-1付近のピークの半値全幅が、前記接合境界部とは異なる部分でのピーク半値全幅よりも広がって観察される部分であり、 前記接合境界部の幅が200μm以上であり、 少なくとも前記接合境界部の上に、前記半導体ドリフト層が積層されている、積層体。【選択図】なし

Claim (excerpt)：

接合境界部を有する単結晶ダイヤモンド基板の上に、少なくとも半導体ドリフト層が積層された積層体であって、 前記単結晶ダイヤモンド基板の前記接合境界部は、レーザ励起波長785nmでのラマンスペクトルにおいて、ダイヤモンドに起因する1332cm-1付近のピークの半値全幅が、前記接合境界部とは異なる部分でのピーク半値全幅よりも広がって観察される部分であり、 前記接合境界部の幅が200μm以上であり、 少なくとも前記接合境界部の上に、前記半導体ドリフト層が積層されている、積層体。

IPC (9)：

H01L 21/20 ,  C30B 29/04 ,  C30B 25/20 ,  C23C 16/27 ,  C23C 16/01 ,  H01L 21/31 ,  H01L 21/265 ,  H01L 21/205 ,  H01L 29/872

FI (11)：

H01L21/20 ,  C30B29/04 P ,  C30B25/20 ,  C30B29/04 E ,  C23C16/27 ,  C23C16/01 ,  H01L21/31 C ,  H01L21/265 Q ,  H01L21/265 Z ,  H01L21/205 ,  H01L29/86 301D

F-Term (46)：

4G077AA03 ,  4G077AB08 ,  4G077AB10 ,  4G077BA03 ,  4G077DB06 ,  4G077DB16 ,  4G077EB01 ,  4G077ED04 ,  4G077ED06 ,  4G077EF03 ,  4G077HA06 ,  4G077HA12 ,  4G077TA04 ,  4G077TB01 ,  4G077TB07 ,  4G077TC13 ,  4G077TE01 ,  4G077TE03 ,  4G077TK01 ,  4G077TK08 ,  4G077TK10 ,  4K030AA10 ,  4K030AA17 ,  4K030BA28 ,  4K030BB02 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030FA01 ,  4K030FA10 ,  4K030FA17 ,  4K030LA12 ,  5F045AA09 ,  5F045AB07 ,  5F045AC07 ,  5F045AD13 ,  5F045AD14 ,  5F045AE25 ,  5F045AF02 ,  5F045AF11 ,  5F152LL04 ,  5F152LP08 ,  5F152MM02 ,  5F152MM03 ,  5F152NN02 ,  5F152NP02 ,  5F152NQ02

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (4)

• エピタキシャル基板の製造方法、半導体素子の製造方法、及びエピタキシャル基板
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-251585   Applicant：株式会社東芝
• ダイヤモンド基板にショットキーダイオードを製造する方法
  Gazette classification：公表公報   Application number：特願2016-509522   Applicant：セントレ・ナショナル・デ・ラ・レシェルシェ・サイエンティフィーク, ユニヴェルシテジョセフフーリエ, インスティチュートポリテクニックデグレノーブル
• ダイヤモンドのエッチング方法、ダイヤモンドの結晶欠陥の検出方法、およびダイヤモンド結晶の結晶成長方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2014-259658   Applicant：一般財団法人ファインセラミックスセンター, 国立研究開発法人産業技術総合研究所
• 単結晶ダイヤモンドの製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2013-205146   Applicant：独立行政法人産業技術総合研究所

Cited by examiner (4)

• エピタキシャル基板の製造方法、半導体素子の製造方法、及びエピタキシャル基板
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-251585   Applicant：株式会社東芝
• ダイヤモンド基板にショットキーダイオードを製造する方法
  Gazette classification：公表公報   Application number：特願2016-509522   Applicant：セントレ・ナショナル・デ・ラ・レシェルシェ・サイエンティフィーク, ユニヴェルシテジョセフフーリエ, インスティチュートポリテクニックデグレノーブル
• ダイヤモンドのエッチング方法、ダイヤモンドの結晶欠陥の検出方法、およびダイヤモンド結晶の結晶成長方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2014-259658   Applicant：一般財団法人ファインセラミックスセンター, 国立研究開発法人産業技術総合研究所
• 単結晶ダイヤモンドの製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2013-205146   Applicant：独立行政法人産業技術総合研究所

Article cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

• Fabrication and fundamental characterizations of tiled clones of single-crystal diamond with 1-inch
• Epitaxial growth of mosaic diamond: Mapping of stress and defects in crystal junction with a confoca

Cited by examiner (2)

• Fabrication and fundamental characterizations of tiled clones of single-crystal diamond with 1-inch
• Epitaxial growth of mosaic diamond: Mapping of stress and defects in crystal junction with a confoca