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J-GLOBAL ID：200903067631579194

GaN系発光ダイオードおよびそれを用いた発光装置

Inventor：
城市 隆秀

About 城市 隆秀

, 
岡川 広明

About 岡川 広明

, 
高野 剛志

About 高野 剛志

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平岡 晋

About 平岡 晋


Applicant, Patent owner：
三菱電線工業株式会社

About 三菱電線工業株式会社


Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005080606
Publication number (International publication number)：2006261609
Application date： Mar. 18, 2005
Publication date： Sep. 28, 2006
Summary：
【課題】素子の内部を、光取り出し方向とは反対の方向に進行する光を、より効率的に反射させる構造を備えた、光取り出し効率の改善されたGaN系LEDを提供することを目的とする。 【解決手段】n型GaN系半導体層2と、GaN系半導体からなる発光層3と、p型GaN系半導体層4とをこの順に含む積層体と、前記p型GaN系半導体層4の表面に形成された、前記発光層で発生される光を透過するn型半導体からなる半導体電極層P2aと、前記半導体電極層の表面に部分的に形成された金属電極P2bと、前記金属電極P2bを挟んで前記半導体電極層P2aの表面に形成された、前記半導体電極層P2aよりも低屈折率の透明絶縁膜Insと、前記透明絶縁膜Insの表面に形成された金属製の反射膜Rと、を有するGaN系発光ダイオード。 【選択図】 図1
Claim (excerpt)：
n型GaN系半導体層と、GaN系半導体からなる発光層と、p型GaN系半導体層とをこの順に含む積層体と、 前記p型GaN系半導体層の表面に形成された、前記発光層で発生される光を透過するn型半導体からなる半導体電極層と、 前記半導体電極層の表面に部分的に形成された金属電極と、 前記金属電極を挟んで前記半導体電極層の表面に形成された、前記半導体電極層よりも低屈折率の透明絶縁膜と、 前記透明絶縁膜の表面に形成された金属製の反射膜と、 を有するGaN系発光ダイオード。
IPC (1)：
H01L 33/00
FI (1)：
H01L33/00 C
F-Term (18)：
5F041AA03 ,  5F041CA05 ,  5F041CA13 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA65 ,  5F041CA85 ,  5F041CA87 ,  5F041CA92 ,  5F041CA94 ,  5F041DA02 ,  5F041DA03 ,  5F041DA04 ,  5F041DA09 ,  5F041DA12 ,  5F041DA19 ,  5F041DA34
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (1)
  • 半導体発光素子
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-342998   Applicant：松下電工株式会社
Cited by examiner (13)
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