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J-GLOBAL ID：200903063052322062

半導体発光素子

Inventor：
仁木 勇

About 仁木 勇

, 
山田 元量

About 山田 元量

, 
佐野 雅彦

About 佐野 雅彦

, 
塩路 修司

About 塩路 修司


Applicant, Patent owner：
日亜化学工業株式会社

About 日亜化学工業株式会社


Agent (3)： 鮫島 睦 ,  田村 恭生 ,  田村 啓
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2009103189
Publication number (International publication number)：2009200514
Application date： Apr. 21, 2009
Publication date： Sep. 03, 2009
Summary：
【課題】半導体発光素子において高い外部量子効率を安定に確保する。【解決手段】基板10の表面部分には発光領域12で発生した光を散乱又は回析させる少なくとも1つの凹部20及び/又は凸部を形成する。凹部及び/又は凸部は半導体層11、13に結晶欠陥を発生させない形状とする。【選択図】図1
Claim (excerpt)：
基板表面上に基板とは材質の異なる少なくとも2層の半導体層と発光領域とを積層構造に成膜し、発光領域で発生した光を上記上側半導体層又は下側基板から取り出すようにした半導体発光素子において、 上記基板の表面部分には上記発光領域で発生した光を散乱又は回折させる少なくとも1つの凹部及び/又は凸部が形成され、該少なくとも1つの凹部及び/又は凸部が上記半導体層に結晶欠陥を発生させない形状をなしていることを特徴とする半導体発光素子。
IPC (1)：
H01L 33/00
FI (2)：
H01L33/00 172 ,  H01L33/00 186
F-Term (6)：
5F041AA03 ,  5F041CA05 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA74 ,  5F041CA93
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (19)
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