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J-GLOBAL ID：200903097377307207

半導体発光素子

Inventor：
井上 芳樹

About 井上 芳樹

, 
佐野 雅彦

About 佐野 雅彦


Applicant, Patent owner：
日亜化学工業株式会社

About 日亜化学工業株式会社


Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2007058866
Publication number (International publication number)：2007311764
Application date： Mar. 08, 2007
Publication date： Nov. 29, 2007
Summary：
【課題】高い光反射率でエレクトロマイグレーションの大きい材料、特にAlを電極に用いる課題に対し、それを改善し得る優れた発光素子が得られるものである。【解決手段】第1及び第2導電型半導体層11,13上にそれぞれ第1及び第2電極20,30を同一面側に配置された半導体発光素子であって、前記電極形成面内において、前記第1電極は、第1基点部23と該第1基点部から延びる第1延伸部24とを備え、前記第1延伸部の延伸方向側に、第2電極30の互いに分離された複数の外部接続部31が、該延伸方向に並置されている【選択図】 図2A
Claim (excerpt)：
第1及び第2導電型半導体層上にそれぞれ第1及び第2電極を同一面側に配置された半導体発光素子であって、 前記電極形成面内において、 前記第1電極は、第1基点部と該第1基点部から延びる第1延伸部とを備え、 前記第1延伸部の延伸方向側に、第2電極の互いに分離された複数の外部接続部が、該延伸方向に並置されている半導体発光素子。
IPC (1)：
H01L 33/00
FI (1)：
H01L33/00 E
F-Term (25)：
5F041AA03 ,  5F041AA04 ,  5F041AA11 ,  5F041AA43 ,  5F041CA02 ,  5F041CA03 ,  5F041CA04 ,  5F041CA06 ,  5F041CA34 ,  5F041CA36 ,  5F041CA40 ,  5F041CA83 ,  5F041CA87 ,  5F041CA92 ,  5F041CA93 ,  5F041DA02 ,  5F041DA03 ,  5F041DA04 ,  5F041DA09 ,  5F041DA12 ,  5F041DA13 ,  5F041DA20 ,  5F041DA76 ,  5F041DA78 ,  5F041EE25
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (5)
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