窒化物半導体装置の製造方法

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (1)：特許業務法人快友国際特許事務所
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2019049952
Publication number (International publication number)：2020155468
Application date： Mar. 18, 2019
Publication date： Sep. 24, 2020
Summary：

【課題】窒化物半導体においてp型領域を形成するための技術を提供する。【解決手段】窒化物半導体装置の製造方法は、窒化物半導体基板の表面近傍にp型不純物を配置する不純物配置工程を備える。窒化物半導体基板を1400°C以上の温度、および、1400°Cにおける窒化物半導体基板の飽和蒸気圧以上の高圧でアニールすることで、p型不純物を窒化物半導体基板の内部へ拡散させる拡散工程を備える。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

窒化物半導体基板の表面近傍にp型不純物を配置する不純物配置工程と、前記窒化物半導体基板を1400°C以上の温度、および、1400°Cにおける前記窒化物半導体基板の飽和蒸気圧以上の高圧でアニールすることで、前記p型不純物を窒化物半導体基板の内部へ拡散させる拡散工程と、を備える、窒化物半導体装置の製造方法。

IPC (3)：

H01L 21/265 , H01L 21/225 , H01L 21/223

FI (6)：

H01L21/265 601A , H01L21/265 601Z , H01L21/225 C , H01L21/225 N , H01L21/223 C , H01L21/265 F

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (7)

p型及びn型電気伝導性の半導体窒素化合物A▲下3▼B▲下5▼の製造方法
Gazette classification：公表公報 Application number：特願平11-502188 Applicant：ツェントルムバダニヴィソコチシニエニオヴィフポルスキエイアカデミイナウク
p型のIII族窒化物半導体の製造方法、およびp型のIII族窒化物半導体用の電極の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2006-254965 Applicant：株式会社豊田中央研究所, トヨタ自動車株式会社
半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2016-099208 Applicant：富士電機株式会社

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