加熱オゾン水の製造方法、加熱オゾン水および半導体ウエハ洗浄液

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (1)：特許業務法人サクラ国際特許事務所
Gazette classification：特許公報
Application number (International application number)：2019541216
Patent number：6629494
Application date： Apr. 26, 2019
Summary：

【要約】高濃度の加熱オゾン水中のオゾン濃度の減衰を抑制して、オゾン濃度の極めて高い加熱オゾン水を製造することができる加熱オゾン水の製造方法、加熱オゾン水及びこれを用いた半導体ウエハ洗浄液を提供する。純水にオゾンを溶解してなる加熱オゾン水の製造方法であって、前記純水に酸を添加してpHを3以下に調整するpH調整工程と、前記pH調整工程後のpHが調整された純水にオゾンガスを溶解させる溶解工程と、前記純水、前記pHが調整された純水、または、前記溶解工程後のオゾン水を60°C以上に加熱する加熱工程と、を具備することを特徴とする加熱オゾン水の製造方法。

Claim (excerpt)：

【請求項1】純水にオゾンを溶解してなる加熱オゾン水の製造方法であって、前記純水に酸を添加してpHを3以下に調整するpH調整工程と、前記pH調整工程後のpHが調整された純水にオゾンガスを溶解させる溶解工程と、前記純水、前記pHが調整された純水、または、前記溶解工程後のオゾン水を60°C以上に加熱する加熱工程と、を具備し、前記加熱オゾン水のオゾン濃度が下記式(3)を満たすことを特徴とする加熱オゾン水の製造方法。オゾン濃度[mg/L]≧350-2.5×オゾン水の液温[°C] ...(3)

IPC (6)：

H01L 21/304 ( 200 6.01) , G03F 7/42 ( 200 6.01) , H01L 21/027 ( 200 6.01) , C02F 1/68 ( 200 6.01) , B01F 3/04 ( 200 6.01) , B01F 1/00 ( 200 6.01)

FI (9)：

H01L 21/304 647 Z , G03F 7/42 , H01L 21/30 572 B , C02F 1/68 510 A , C02F 1/68 520 B , C02F 1/68 520 G , C02F 1/68 530 A , B01F 3/04 A , B01F 1/00 A

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (5)

加熱オゾン水の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2008-151157 Applicant：野村マイクロ・サイエンス株式会社
高濃度オゾン水、同オゾン水の調製方法、および同オゾン水を使用した洗浄方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-203741 Applicant：エム・イー・エム・シー株式会社
洗浄装置及び洗浄方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-336589 Applicant：積水化学工業株式会社

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Cited by examiner (5)

加熱オゾン水の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2008-151157 Applicant：野村マイクロ・サイエンス株式会社
高濃度オゾン水、同オゾン水の調製方法、および同オゾン水を使用した洗浄方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-203741 Applicant：エム・イー・エム・シー株式会社
洗浄装置及び洗浄方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-336589 Applicant：積水化学工業株式会社

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