イオンビーム発生装置およびイオンビーム発生装置の制御方法

Inventor： , , , , , , , ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (1)：特許業務法人東京国際特許事務所
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2018227303
Publication number (International publication number)：2020091968
Application date： Dec. 04, 2018
Publication date： Jun. 11, 2020
Summary：

【課題】イオンビームの出力時に無衝突条件を満たす真空度できるイオンビーム発生装置の制御技術を提供する。【解決手段】イオンビーム発生装置1は、プラズマPの発生源となるガスGの分子を電離させてプラズマPを間欠的に発生させるプラズマ発生室21と、プラズマ発生室21で発生させたプラズマPが導入される主放電室9と、主放電室9に設けられ、間欠的な放電によりプラズマPを加速させる加速用電極4と、主放電室9にプラズマPが導入されるタイミングと加速用電極4の放電のタイミングとを同期させる制御部31とを備える。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

プラズマの発生源となるガスの分子を電離させて前記プラズマを間欠的に発生させるプラズマ発生室と、前記プラズマ発生室で発生させた前記プラズマが導入される主放電室と、前記主放電室に設けられ、間欠的な放電により前記プラズマを加速させる加速用電極と、前記主放電室に前記プラズマが導入されるタイミングと前記加速用電極の放電のタイミングとを同期させる制御部と、を備えるイオンビーム発生装置。

IPC (3)：

H01J 27/08 , H01J 37/08 , H05H 1/54

FI (3)：

H01J27/08 , H01J37/08 , H05H1/54

F-Term (29)：

2G084AA12 , 2G084AA15 , 2G084AA21 , 2G084AA22 , 2G084AA24 , 2G084BB11 , 2G084CC03 , 2G084CC13 , 2G084CC19 , 2G084CC25 , 2G084CC27 , 2G084CC33 , 2G084DD12 , 2G084DD22 , 2G084DD39 , 2G084FF02 , 2G084FF25 , 2G084HH05 , 2G084HH06 , 2G084HH09 , 2G084HH26 , 2G084HH28 , 2G084HH44 , 2G084HH54 , 2G084HH56 , 5C030DD05 , 5C030DE01 , 5C030DE04 , 5C030DE09

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

プラズマを加速及び圧縮する装置
Gazette classification：公表公報 Application number：特願2015-528820 Applicant：ジェネラルフュージョンインコーポレイテッド
イオン源及びイオンビーム発生方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2017-052955 Applicant：株式会社東芝, 東芝エネルギーシステムズ株式会社
酸素負イオンビーム注入方法及び注入装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-163521 Applicant：日新電機株式会社

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