Pat
J-GLOBAL ID:202103016061913933
選択成膜方法
Inventor:
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Applicant, Patent owner:
,
Agent (1):
高山 宏志
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2020080178
Publication number (International publication number):2021174960
Application date: Apr. 30, 2020
Publication date: Nov. 01, 2021
Summary:
【課題】簡易な手法で汎用性が高い選択成膜方法を提供する。【解決手段】選択成膜方法は、第1の表面を有する第1の膜と、第2の表面を有する第1の膜とは異なる第2の膜とを含む基板を準備する工程と、第2級アルコールガスおよび/または第3級アルコールガスを第2の表面に選択的に吸着させる工程と、少なくとも原料ガスを供給して第1の表面に選択的に膜を形成する工程とを有する。【選択図】図1
Claim (excerpt):
第1の表面を有する第1の膜と、第2の表面を有する前記第1の膜とは異なる第2の膜とを含む基板を準備する工程と、
第2級アルコールガスおよび/または第3級アルコールガスを前記第2の表面に選択的に吸着させる工程と、
少なくとも原料ガスを供給して前記第1の表面に選択的に膜を形成する工程と、
を有する選択成膜方法。
IPC (6):
H01L 21/316
, H01L 21/768
, H01L 21/28
, H01L 21/283
, C23C 16/02
, C23C 16/04
FI (7):
H01L21/316
, H01L21/90 A
, H01L21/28 A
, H01L21/283 B
, H01L21/90 P
, C23C16/02
, C23C16/04
F-Term (80):
4K030AA11
, 4K030AA12
, 4K030AA14
, 4K030AA17
, 4K030AA24
, 4K030BA01
, 4K030BA05
, 4K030BA10
, 4K030BA18
, 4K030BA38
, 4K030BA40
, 4K030BA42
, 4K030BA43
, 4K030BA44
, 4K030BA46
, 4K030CA04
, 4K030CA12
, 4K030DA02
, 4K030DA09
, 4K030EA01
, 4K030EA03
, 4K030EA11
, 4K030FA01
, 4K030FA10
, 4K030HA01
, 4K030JA10
, 4K030LA02
, 4K030LA15
, 4M104AA01
, 4M104BB02
, 4M104BB04
, 4M104BB14
, 4M104BB30
, 4M104DD02
, 4M104DD22
, 4M104DD43
, 4M104DD46
, 4M104EE16
, 4M104EE17
, 5F033HH07
, 5F033HH08
, 5F033HH11
, 5F033HH15
, 5F033HH18
, 5F033HH33
, 5F033KK07
, 5F033KK08
, 5F033KK11
, 5F033KK15
, 5F033KK18
, 5F033KK33
, 5F033NN03
, 5F033PP02
, 5F033PP08
, 5F033PP33
, 5F033QQ53
, 5F033QQ73
, 5F033RR02
, 5F033RR03
, 5F033RR04
, 5F033RR06
, 5F033SS03
, 5F033SS11
, 5F033WW03
, 5F033XX00
, 5F058BA20
, 5F058BC02
, 5F058BC03
, 5F058BC04
, 5F058BC08
, 5F058BC09
, 5F058BC10
, 5F058BE10
, 5F058BF06
, 5F058BF23
, 5F058BF27
, 5F058BF29
, 5F058BF37
, 5F058BF54
, 5F058BJ04
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (7)
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アルコールの選択的還元および保護による選択的堆積
Gazette classification:公表公報
Application number:特願2017-511206
Applicant:アプライドマテリアルズインコーポレイテッド
-
半導体装置の製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2009-176512
Applicant:富士通セミコンダクター株式会社
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銅への改善された接着性および銅エレクトロマイグレーション耐性
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2009-072147
Applicant:エアプロダクツアンドケミカルズインコーポレイテッド
-
半導体装置の製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平5-162825
Applicant:川崎製鉄株式会社
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選択成膜方法および半導体装置の製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2017-187575
Applicant:東京エレクトロン株式会社
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薄膜形成方法、及び、薄膜形成装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2014-065142
Applicant:東京エレクトロン株式会社
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成膜方法および記憶媒体
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2011-038773
Applicant:東京エレクトロン株式会社
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