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J-GLOBAL ID：202203002426025389

レジストパターン形成方法

Inventor： 堤 隆志 ,  古澤 孝弘
Applicant, Patent owner： 日本ゼオン株式会社 ,  国立大学法人大阪大学
Agent (4)： 杉村 憲司 ,  杉村 光嗣 ,  寺嶋 勇太 ,  池田 浩
Gazette classification：特許公報
Application number (International application number)：2018105274
Publication number (International publication number)：2019211532
Patent number：7168952
Application date： May. 31, 2018
Publication date： Dec. 12, 2019
Claim (excerpt)：

【請求項1】 下記一般式(I):〔一般式(I)中、Bは、置換基を有していてもよい架橋環式飽和炭化水素環基であり、nは1である。〕で表される単量体単位(A)と、 下記一般式(II):〔一般式(II)中、R1は、アルキル基であり、pは、0以上5以下の整数であり、R1が複数存在する場合、それらは互いに同一でも異なっていてもよい。〕で表される単量体単位(B)とを有する共重合体と、溶剤とを含むポジ型レジスト組成物を用いてレジスト膜を形成する工程と、 前記レジスト膜を極端紫外線で露光する工程と、 露光された前記レジスト膜を現像する工程と、を含み、 前記レジスト膜を形成する工程で形成される前記レジスト膜の密度が1.15g/cm3以上であり、 前記単量体単位(A)が、α-クロロアクリル酸メチル-1-アダマンチル単位であり、 前記極端紫外線の波長が1nm以上30nm以下である、レジストパターン形成方法。

IPC (4)：

G03F 7/039 ( 200 6.01) ,  C08F 220/12 ( 200 6.01) ,  C08F 212/06 ( 200 6.01) ,  G03F 7/20 ( 200 6.01)

FI (5)：

G03F 7/039 501 ,  C08F 220/12 ,  C08F 212/06 ,  G03F 7/20 501 ,  G03F 7/20 521

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (4)

• ポジ型感放射線性組成物およびこれを用いたレジストパターンの製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-007617   Applicant：東レ株式会社
• ポジ型感放射線性組成物
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-221889   Applicant：東レ株式会社
• ポジ型レジスト組成物及びその製造方法、並びに、当該ポジ型レジスト組成物を用いたレジストパターンの製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2014-135036   Applicant：大日本印刷株式会社
• レジストパターン形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2018-055193   Applicant：日本ゼオン株式会社

Cited by examiner (4)

• ポジ型感放射線性組成物およびこれを用いたレジストパターンの製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-007617   Applicant：東レ株式会社
• ポジ型感放射線性組成物
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-221889   Applicant：東レ株式会社
• ポジ型レジスト組成物及びその製造方法、並びに、当該ポジ型レジスト組成物を用いたレジストパターンの製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2014-135036   Applicant：大日本印刷株式会社
• レジストパターン形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2018-055193   Applicant：日本ゼオン株式会社