窒化物半導体層の不純物濃度を測定する測定方法及び測定装置

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner： , , ,
Agent (1)：弁理士法人快友国際特許事務所
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2021024635
Publication number (International publication number)：2022126514
Application date： Feb. 18, 2021
Publication date： Aug. 30, 2022
Summary：

【課題】非接触及び非破壊で窒化物半導体層の不純物濃度を測定する技術を提供する。【解決手段】窒化物半導体層100の不純物濃度を測定する測定装置1は、前記窒化物半導体層のフォトルミネッセンスに含まれる自由励起子発光と不純物束縛励起子発光から前記自由励起子発光の強度に対する前記不純物束縛励起子発光の強度の強度比(不純物束縛励起子発光の強度/自由励起子発光の強度)を算出する強度比算出部44と、前記強度比に基づいて前記窒化物半導体層の不純物濃度を特定する濃度特定部46と、を備えている。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

窒化物半導体層(100)の不純物濃度を測定する測定方法であって、前記窒化物半導体層のフォトルミネッセンスに含まれる自由励起子発光と不純物束縛励起子発光から前記自由励起子発光の強度に対する前記不純物束縛励起子発光の強度の強度比(不純物束縛励起子発光の強度/自由励起子発光の強度)を算出する強度比算出工程と、前記強度比に基づいて前記窒化物半導体層の不純物濃度を特定する濃度特定工程と、を備えている、測定方法。

IPC (2)：

H01L 21/66 , G01N 21/63

FI (2)：

H01L21/66 N , G01N21/63 Z

F-Term (16)：

2G043AA01 , 2G043BA01 , 2G043CA05 , 2G043EA01 , 2G043JA01 , 2G043LA02 , 2G043LA03 , 2G043NA01 , 2G043NA11 , 4M106AA10 , 4M106BA05 , 4M106BA20 , 4M106CB01 , 4M106DH12 , 4M106DH32 , 4M106DJ18

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

キャリア濃度測定方法及びIII-V族化合物半導体ウェーハの製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-367361 Applicant：信越半導体株式会社
半導体デバイス、その製造方法およびその評価方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2014-066103 Applicant：住友電気工業株式会社
炭素濃度測定方法及び炭素濃度測定装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2018-003897 Applicant：学校法人明治大学

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