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J-GLOBAL ID：202203005820861590

窒化物半導体層の不純物濃度を測定する測定方法及び測定装置

Inventor： 大川 峰司 ,  渡邉 健太 ,  大森 雅登
Applicant, Patent owner： 株式会社デンソー ,  トヨタ自動車株式会社 ,  株式会社ミライズテクノロジーズ ,  国立大学法人 大分大学
Agent (1)： 弁理士法人 快友国際特許事務所
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2021024635
Publication number (International publication number)：2022126514
Application date： Feb. 18, 2021
Publication date： Aug. 30, 2022
Summary：

【課題】非接触及び非破壊で窒化物半導体層の不純物濃度を測定する技術を提供する。 【解決手段】窒化物半導体層100の不純物濃度を測定する測定装置1は、前記窒化物半導体層のフォトルミネッセンスに含まれる自由励起子発光と不純物束縛励起子発光から前記自由励起子発光の強度に対する前記不純物束縛励起子発光の強度の強度比(不純物束縛励起子発光の強度/自由励起子発光の強度)を算出する強度比算出部44と、前記強度比に基づいて前記窒化物半導体層の不純物濃度を特定する濃度特定部46と、を備えている。 【選択図】図1

Claim (excerpt)：

窒化物半導体層(100)の不純物濃度を測定する測定方法であって、 前記窒化物半導体層のフォトルミネッセンスに含まれる自由励起子発光と不純物束縛励起子発光から前記自由励起子発光の強度に対する前記不純物束縛励起子発光の強度の強度比(不純物束縛励起子発光の強度/自由励起子発光の強度)を算出する強度比算出工程と、 前記強度比に基づいて前記窒化物半導体層の不純物濃度を特定する濃度特定工程と、を備えている、測定方法。

IPC (2)：

H01L 21/66 ,  G01N 21/63

FI (2)：

H01L21/66 N ,  G01N21/63 Z

F-Term (16)：

2G043AA01 ,  2G043BA01 ,  2G043CA05 ,  2G043EA01 ,  2G043JA01 ,  2G043LA02 ,  2G043LA03 ,  2G043NA01 ,  2G043NA11 ,  4M106AA10 ,  4M106BA05 ,  4M106BA20 ,  4M106CB01 ,  4M106DH12 ,  4M106DH32 ,  4M106DJ18