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J-GLOBAL ID：202203013304304246
半導体装置
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
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Agent (4)：
三好 秀和
, 寺山 啓進
, 西澤 一生
, 安藤 直行
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2022142540
Publication number (International publication number)：2022174198
Application date： Sep. 07, 2022
Publication date： Nov. 22, 2022
Summary：
【課題】高温下でも安定な接着構造体、及びこの接着構造体を備える半導体モジュールを提供する。
【解決手段】接着構造体2Dは、貴金属層10の貴金属と、貴金属層10の貴金属との相互作用により接着される接着性樹脂18とを備える。ここで、貴金属層10の貴金属と接着性樹脂18は、接着性樹脂18を構成する官能基の一部から貴金属層10の貴金属に向かって電子が供与されるσ供与と、貴金属層10の貴金属から官能基に向かって電子が供与されるπ逆供与とにより接着される。接着性樹脂18を構成する官能基は、孤立電子対と空の反結合性π軌道(π
*
軌道)との両方を備え、σ供与とπ逆供与による結合を形成可能である。
【選択図】図1
Claim (excerpt)：
表面と裏面とを有し、前記表面に電極を有する半導体デバイスと、
前記半導体デバイスが搭載される第1リードフレームおよび前記第1リードフレームと分離された第2リードフレームと、
前記第1リードフレームの前記半導体デバイスが搭載される部分の表面に前記半導体デバイスよりも広い領域に形成された第1貴金属層と、
前記第1貴金属層上の前記半導体デバイスに対向する部分に配置された第1樹脂層と、
前記半導体デバイスの前記電極と前記第2リードフレームとを接続するボンディングワイヤと、
前記第1リードフレームと前記第1貴金属層と前記第1樹脂層と前記半導体デバイスと前記ボンディングワイヤと前記第2リードフレームの一部とを覆う第2樹脂層と
を備える、半導体装置。
IPC (5)：
H01L 21/52
, H01L 29/78
, H01L 29/739
, H01L 29/12
, H01L 23/48
H01L21/52 E
, H01L29/78 652Q
, H01L29/78 655F
, H01L29/78 652T
, H01L23/48 T
Cited by applicant (1)
Cited by examiner (10)
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半導体装置
Gazette classification：公開公報
Application number：特願2012-193043
Applicant：ルネサスエレクトロニクス株式会社
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導電性接着剤とそれを用いた接続構造体
Gazette classification：公開公報
Application number：特願2000-398536
Applicant：松下電器産業株式会社
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半導体装置及びその製造方法
Gazette classification：公開公報
Application number：特願2007-285493
Applicant：富士通株式会社
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