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J-GLOBAL ID：202303020869255102

結晶膜の製造方法

Inventor： 大島 祐一 ,  藤田 静雄 ,  金子 健太郎 ,  嘉数 誠 ,  河原 克明 ,  四戸 孝 ,  松田 時宜 ,  人羅 俊実
Applicant, Patent owner： 株式会社FLOSFIA ,  国立研究開発法人物質・材料研究機構 ,  国立大学法人京都大学 ,  国立大学法人佐賀大学
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2022202780
Publication number (International publication number)：2023029387
Application date： Dec. 20, 2022
Publication date： Mar. 03, 2023
Summary：

【課題】高品質な結晶膜が工業的有利に得られる結晶膜の製造方法を提供する。 【解決手段】金属を含む金属源をガス化して金属含有原料ガスとし、ついで、前記金属含有原料ガスと、酸素含有原料ガスとを反応室内の基板上に供給して成膜する結晶膜の製造方法であって、前記基板が、表面にバッファ層を有しており、反応性ガスを前記基板上に供給し、前記成膜を、前記反応性ガスの流通下で行うことにより、高品質な結晶膜を成膜し、得られた結晶膜を、半導体装置等に用いる。 【選択図】図1

Claim (excerpt)：

基板表面にバッファ層をミストCVD法により形成する工程と、 前記バッファ層を有する基板上に、ガリウムを含む金属酸化物の結晶膜をHVPE法により形成する工程と、を備える結晶膜の製造方法。

IPC (5)：

C30B 29/16 ,  C30B 25/18 ,  C23C 16/448 ,  C23C 16/40 ,  H01L 21/205

FI (5)：

C30B29/16 ,  C30B25/18 ,  C23C16/448 ,  C23C16/40 ,  H01L21/205

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (9)

• 特許第5397794号
  
• 特許第5343224号
  
• 特許第5397795号
  
• 半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2013-212623   Applicant：ROCA株式会社
• 結晶性積層構造体およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2014-239389   Applicant：株式会社FLOSFIA
• 結晶成長用基板、結晶性積層構造体およびそれらの製造方法ならびにエピタキシャル成長方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2014-239391   Applicant：株式会社FLOSFIA
• 結晶性積層構造体
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2014-239390   Applicant：株式会社FLOSFIA
• α-Ga2O3単結晶、α-Ga2O3の製造方法、および、それを用いた半導体素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2015-035140   Applicant：国立研究開発法人物質・材料研究機構
• 国際公開第2014/050793号公報