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J-GLOBAL ID：202403002008922824

面発光レーザ及び面発光レーザの製造方法

Inventor： 野田 進 ,  田中 良典 ,  デ ゾイサ メーナカ ,  園田 純一 ,  小泉 朋朗 ,  江本 渓
Applicant, Patent owner： 国立大学法人京都大学 ,  スタンレー電気株式会社
Agent (1)： 弁理士法人レクスト国際特許事務所
Gazette classification：特許公報
Application number (International application number)：2019501872
Publication number (International publication number)：2022105740
Patent number：7442151
Application date： Feb. 27, 2018
Publication date： Jul. 14, 2022
Claim (excerpt)：

【請求項1】 III族窒化物半導体からなる面発光レーザであって、 基板上に形成された第1導電型の第1のクラッド層と、 前記第1のクラッド層上に形成され、層に平行な面内において2次元的な周期性を有して配された空孔を内部に有する前記第1導電型の第1のガイド層と、 前記第1のガイド層上に形成された活性層と、 前記活性層上に形成された、前記第1導電型と反対導電型の第2導電型の第2のガイド層と、 前記第2のガイド層上に形成された前記第2導電型の第2のクラッド層と、を有し、 前記第1のガイド層は、前記空孔の側部及び底部が形成された空孔形成層と、前記空孔形成層上に形成されて前記空孔の上部を閉塞しかつ前記空孔の上方に内側面の少なくとも一部が{10-11}ファセットを含む錐状の凹部を有する空孔閉塞部と、前記錐状の凹部を埋めている埋込部と、を有し、 前記第1のガイド層内に前記空孔によってフォトニック結晶層が形成されている面発光レーザ。

IPC (3)：

H01S 5/11 ( 202 1.01) ,  H01S 5/185 ( 202 1.01) ,  H01S 5/323 ( 200 6.01)

FI (3)：

H01S 5/11 ,  H01S 5/185 ,  H01S 5/323 610

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

• 窒化物半導体の微細構造の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2009-178421   Applicant：キヤノン株式会社
• 微細構造の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2011-282501   Applicant：キヤノン株式会社
• フォトニック結晶面発光レーザの製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2011-232983   Applicant：キヤノン株式会社
• III族窒化物系面発光素子およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2007-303158   Applicant：住友電気工業株式会社
• 2次元フォトニック結晶レーザ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2010-171933   Applicant：国立大学法人京都大学, ローム株式会社