2次元フォトニック結晶レーザ

Inventor： , , , , , ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (1)：特許業務法人京都国際特許事務所
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2010171933
Publication number (International publication number)：2012033705
Application date： Jul. 30, 2010
Publication date： Feb. 16, 2012
Summary：

【課題】2次元フォトニック結晶層の上部層をエピタキシャル法により形成する際に、2次元フォトニック結晶層の共振器としての性能を低下させないようにした2次元フォトニック結晶レーザを提供する。【解決手段】2次元フォトニック結晶レーザ10は、AlαGa1-αAs(0<α<1)又は(AlβGa1-β)γIn1-γP(0≦β<1, 0<γ<1)を母材とする母材層152内に空孔151が周期的に設けられた2次元フォトニック結晶層15と、2次元フォトニック結晶層15の上にエピタキシャル法によって作製されるエピタキシャル成長層16を有する。母材層152の材料に上記のものを用いることにより、エピタキシャル成長層16を形成する際に空孔151が変形したり崩れたりすることがないため、2次元フォトニック結晶層の共振器としての性能を低下させることがない。【選択図】図3

Claim (excerpt)：

AlαGa1-αAs(0<α<1)又は(AlβGa1-β)γIn1-γP(0≦β<1, 0<γ<1)を母材とする層内に異屈折率領域が周期的に設けられた2次元フォトニック結晶層と、前記2次元フォトニック結晶層の上にエピタキシャル法によって作製されるエピタキシャル成長層と、を有することを特徴とする2次元フォトニック結晶レーザ。

IPC (1)：

H01S 5/12

FI (1)：

H01S5/12

F-Term (5)：

5F173AB90 , 5F173AG17 , 5F173AH03 , 5F173AP04 , 5F173AR99

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (7)

面発光レーザの製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2007-198489 Applicant：キヤノン株式会社
半導体リングレーザ及びその製造方法、駆動方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-215016 Applicant：キヤノン株式会社
面発光レーザ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2008-280987 Applicant：キヤノン株式会社

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