Pat

J-GLOBAL ID：202403011956649573

Sn粒子の製造方法

Inventor： 堀 勝 ,  グエン・ティ・トゥイ・ガー ,  石川 健治 ,  堤 隆嘉
Applicant, Patent owner： 国立大学法人東海国立大学機構
Agent (3)： 弁理士法人あいち国際特許事務所 ,  一色 昭則 ,  角谷 智広
Gazette classification：特許公報
Application number (International application number)：2020115248
Publication number (International publication number)：2022013006
Patent number：7562110
Application date： Jul. 02, 2020
Publication date： Jan. 18, 2022
Claim (excerpt)：

【請求項1】 球形のSnからなるSn粒子を製造するSn粒子の製造方法であって、 ガラスからなる基板上にSnO2からなる酸化膜を形成する工程と、 前記酸化膜に水素ラジカルを含むプラズマを照射して前記酸化膜を前記基板から除去し、前記基板上に前記Sn粒子を生成する工程と、 を有することを特徴とするSn粒子の製造方法。

IPC (1)：

B22F 9/22 ( 200 6.01)

FI (1)：

B22F 9/22 Z

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

• 導電性基板
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2012-016932   Applicant：大日本印刷株式会社
• 微粒子の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2003-333848   Applicant：トヨタ自動車株式会社, 学校法人トヨタ学園
• 超微粒子構造の作製方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-303944   Applicant：東京大学長
• 特開昭62-070505
  
• 浮遊電極を持つ誘導結合型マイクロプラズマ源
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2010-124388   Applicant：学校法人トヨタ学園豊田工業大学