Au/HfO_2高k膜の界面における電流伝導機構に及ぼすトラッピングとデトラッピング効果【JST・京大機械翻訳】

Zhang Yuqian; Fu Li

文献

J-GLOBAL ID：201602217163010488 整理番号：16A0731409

Au/HfO_2高k膜の界面における電流伝導機構に及ぼすトラッピングとデトラッピング効果【JST・京大機械翻訳】

Trapping and Detrapping Effects on Current Conduction Mechanisms at Interface of Au/HfO_2 High-k Films

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巻： 44 号： 12 ページ： 2992-2995 発行年： 2015年12月
JST資料番号： W0563A ISSN： 1002-185X CODEN： XJCGEA 資料種別：逐次刊行物 (A)
発行国：中国 (CHN) 言語：英語 (EN)

ゲート注入条件下で異なった温度及び電流伝導機構でアニールしたHfO_2高k誘電体の漏れ電流密度-電圧特性を詳細に研究した。漏れ電流はゲート注入下のAu/HfO_2の界面での高トラップ密度と関連しており,Au/HfO_/p Si構造の支配的な伝導機構は,高電界領域におけるSchottky放出とPoole-Frenkelメカニズムであることが分かった。ゲート誘電体膜の信頼性を研究するために,キャパシタはゲート注入で一定電圧でストレスを与えた。時間依存絶縁破壊(TDDB)を定電圧ストレス下でのパーコレーションクラスタの形成に起因して観察された。Data from the ScienceChina, LCAS.【JST・京大機械翻訳】

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