文献

J-GLOBAL ID：201702214248631988   整理番号：17A0686008

Si,SiO₂とSi₃N₄エッチングプロセス中のフッ素ラジカル多層吸着メカニズムについて分子動力学研究

Molecular dynamics study on fluorine radical multilayer adsorption mechanism during Si, SiO₂, and Si₃N₄ etching processes

著者 (4件)： NUMAZAWA Satoshi (Samsung R&D Inst. Japan, Yokohama, JPN) ,  MACHIDA Ken (Samsung R&D Inst. Japan, Yokohama, JPN) ,  ISOBE Michiro (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  HAMAGUCHI Satoshi (Osaka Univ., Osaka, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 55  号： 11  ページ： 116204.1-116204.6  発行年： 2016年11月 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： フッ素を含むプラズマエッチングは,主にSi,SiO₂とSi₃N₄について用いられている。LSI縮小につれ原子層エッチングが重要になるが,反応速度が遅いのが問題である。プラズマエッチングがこれを改善する可能性がある。そこで結合次数ポテンシャル関数を用いる分子動力学シミュレーションにより,基礎過程としてプラズマエッチング中生成するFラジカルの,Si,SiO₂とSi₃N₄基板上の吸着蓄積を検討した。250Kでの基板上の非常に低い0.05eVの速度エネルギーのFの逐次入射で,F混合層が基板上に形成され,Si化合物の発光が観察されることを示した。一方Si₃N₄基板では保護層が形成され,エッチングが進まないことを示した。拡張Langmuirモデルによりエッチング機構を説明できることを明らかにした。

シソーラス用語： *分子動力学 ,  *プラズマエッチング ,  ケイ素 ,  二酸化ケイ素 ,  窒化ケイ素 ,  *ラジカル ,  *フッ素 ,  基板 ,  *モデリング ,  計算機シミュレーション ,  発光

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

引用文献 (23件)：

• M. Schaepkens, T. Standaert, N. Rueger, P. Sebel, G. Oehrlein, and J. Cook, J. Vac. Sci. Technol. A 17, 26 (1999).
• K. J. Kanarik, T. Lill, E. A. Hudson, S. Sriraman, S. Tan, J. Marks, V. Vahedi, and R. A. Gottscho, J. Vac. Sci. Technol. A 33, 020802 (2015).
• S. Rauf, T. Sparks, P. L. G. Ventzek, V. V. Smirnov, A. V. Stengach, K. G. Gaynullin, and V. A. Pavlovsky, J. Appl. Phys. 101, 033308 (2007).
• R. Smith, D. E. Harrison, and B. J. Garrison, Phys. Rev. B 40, 93 (1989).
• P. Süle and K.-H. Heinig, J. Phys. Chem. 131, 204704 (2009).

タイトルに関連する用語 (11件)： Si ,  SiO2 ,  Si3N4 ,  エッチングプロセス ,  フッ素 ,  ラジカル ,  多層 ,  吸着 ,  メカニズム ,  分子動力学 ,  研究