特許
J-GLOBAL ID：200903036399014018

半導体発光素子、その製造方法およびその半導体発光素子を用いた半導体レーザジャイロ

発明者：
シャンムカム サラバナン

シャンムカム サラバナン について

, 
原山 卓久

原山 卓久 について

, 
福嶋 丈浩

福嶋 丈浩 について


出願人/特許権者：
株式会社国際電気通信基礎技術研究所

株式会社国際電気通信基礎技術研究所 について


代理人 (2件)： 松山 隆夫 ,  鳥居 洋
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-205235
公開番号（公開出願番号）：特開2007-027297
出願日： 2005年07月14日
公開日（公表日）： 2007年02月01日
要約：
【課題】 相互に異なる波長を有する複数の光を発光することが可能な半導体発光素子を提供する。【解決手段】 半導体レーザは、活性層6を備える。活性層6は、2つの量子ドット層61,62を含む。量子ドット層61は、量子ドット611とキャップ層612とからなる。キャップ層612は、量子ドット611を覆う。また、量子ドット層62は、量子ドット621と、キャップ層622とからなる。キャップ層622は、量子ドット621を覆う。量子ドット611は、InAsからなり、量子ドット621は、InGaAsからなる。キャップ層611,622は、GaAsからなる。【選択図】 図2
請求項（抜粋）：
第1のバリア層と、 前記第1のバリア層に接して形成された活性層と、 前記活性層に接して形成された第2のバリア層とを備え、 前記活性層は、波長が相互に異なる複数のレーザ光を出射する複数の発光層を含み、 前記複数の発光層は、 バンドギャップが相互に異なる複数の量子ドットと、 前記複数の量子ドットに対応して設けられ、各々が対応する量子ドットを覆うように形成された複数のキャップ層とを含む、半導体発光素子。
IPC (2件)：
H01S 5/343 ,  H01L 21/205
FI (3件)：
H01S5/343 ,  H01S5/343 610 ,  H01L21/205
Fターム (25件)：
5F045AA05 ,  5F045AB17 ,  5F045AB18 ,  5F045AD09 ,  5F045AE09 ,  5F045AF04 ,  5F045BB16 ,  5F045CA12 ,  5F045DA56 ,  5F045EE18 ,  5F045EE19 ,  5F045HA16 ,  5F173AB49 ,  5F173AD11 ,  5F173AF08 ,  5F173AG12 ,  5F173AH03 ,  5F173AP09 ,  5F173AP33 ,  5F173AP62 ,  5F173AQ05 ,  5F173AQ11 ,  5F173AR07 ,  5F173AR93 ,  5F173AS10
引用特許：
出願人引用 (4件)
  • リングレーザジャイロ
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-164666   出願人：日本航空電子工業株式会社
  • 光ジャイロ
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-033277   出願人：キヤノン株式会社
  • 特開平4-174317号公報
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