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著者 (5件)：
資料名：
巻： 18th ページ： 39-42 発行年： 2012年01月31日
JST資料番号： L2496A 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報 発行国： 日本 (JPN) 言語： 日本語 (JA)
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宮崎高彰
(大阪大 大学院工学研究科)
, 大阪大 大学院工学研究科 について
藤本高志
(大阪大 大学院工学研究科)
, 大阪大 大学院工学研究科 について
松嶋道也
(大阪大 大学院工学研究科)
, 大阪大 大学院工学研究科 について
福本信次
(大阪大 大学院工学研究科)
, 大阪大 大学院工学研究科 について
藤本公三
(大阪大 大学院工学研究科)
大阪大 大学院工学研究科 について
資料名：
Symposium on Microjoining and Assembly Technology in Electronics
(Symposium on Microjoining and Assembly Technology in Electronics)
Symposium on Microjoining and Assembly Technology in Electronics について
巻： 18th ページ： 39-42 発行年： 2012年01月31日
JST資料番号： L2496A 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報 発行国： 日本 (JPN) 言語： 日本語 (JA)
シソーラス用語：
準シソーラス用語：
シソーラス用語/準シソーラス用語
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*電力トランジスタ
, 電力トランジスタ について
*拡散接合
, 拡散接合 について
インサート金属
, インサート金属 について
多層膜
多層膜 について
準シソーラス用語：
シソーラス用語/準シソーラス用語
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*パワー半導体
パワー半導体 について
分類 (1件)：
分類
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固体デバイス製造技術一般
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
(NC03030V)
固体デバイス製造技術一般 について
タイトルに関連する用語 (6件)：
タイトルに関連する用語
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銅
, 銅 について
低融点
, 低融点 について
薄膜
, 薄膜 について
インサート
, インサート について
層構造
, 層構造 について
接合部
接合部 について
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