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文献
J-GLOBAL ID：201202275331920521
整理番号：12A0649234 レジスト高分子の放射線化学
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岡本一将
(北大 大学院)
, 住吉孝
(北大 大学院)
資料名：
日本化学会講演予稿集
(日本化学会春季年会講演予稿集)
日本化学会講演予稿集 について
巻： 92nd 号： 1 ページ： 59 発行年： 2012年03月09日
JST資料番号： S0493A ISSN： 0285-7626 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報 発行国： 日本 (JPN) 言語： 日本語 (JA)
抄録/ポイント：
抄録/ポイント
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リソグラフィ技術の発展とともに,半導体素子の加工寸法は微細化を続け,飛躍的な性能の向上を達成してきた。更なる露光波長の短波長化によりExtreme Ultraviolet(EUV)光を用いたリソグラフィが新技術として期待されている。EUVレジスト中の反応機構は,従来のレーザーを露光源とした光化学反応とは異なり,イオン化を伴う放射線誘起反応である。そのためレジスト高分子の放射線化学における反応機構やダイナミクスの解明が,パルスラジオリシス法などにより行っている。(著者抄録)
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シソーラス用語：
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シソーラス用語/準シソーラス用語
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フォトリソグラフィー
, フォトリソグラフィー について
真空紫外線
, 真空紫外線 について
フォトレジスト
, フォトレジスト について
*反応機構
, 反応機構 について
光化学反応
, 光化学反応 について
*パルス放射線分解
, パルス放射線分解 について
*EUVレジスト
EUVレジスト について
準シソーラス用語：
シソーラス用語/準シソーラス用語
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EUVリソグラフィー
EUVリソグラフィー について
分類 (1件)：
分類
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固体デバイス製造技術一般
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固体デバイス製造技術一般 について
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