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J-GLOBAL ID:201302296946119840   整理番号:13A1289333

ワイヤボンド加圧下におけるUltra Low-kデバイスのボンドパッド下部構造のFEM応力解析

FEM Analysis of Stress in the Structures under Bond Pad of Ultra Low-k Device
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著者 (7件):
資料名:
巻:号:ページ: 186-191  発行年: 2013年07月20日 
JST資料番号: F0907C  ISSN: 2186-702X  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: 日本 (JPN)  言語: 日本語 (JA)
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先進電子デバイスでは回路遅延を防ぐために層間絶縁膜の低誘電率化が図られるが,一方でその機械的性質の低さに起因する破損の不具合の発生が課題となっている。本研究においては,その改善を図るための基礎データとして低誘電率部材構造の応力解析を実施した。対象は超低誘電率(ULK)部材のワイヤボンディング加圧条件におけるボンドパッド下部構造である。ワイヤボンディング荷重によって発生する応力の均質化モデルを構築し有限要素法による解析を行なった。この解析から,種々の構造に対する適性な配置を推奨することができた。
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分類 (1件):
分類
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固体デバイス計測・試験・信頼性 
引用文献 (8件):

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