特許
J-GLOBAL ID：201603019461808038

単結晶状GeSn含有材料の製造方法

発明者：
志村 考功

志村 考功 について

, 
渡部 平司

渡部 平司 について

, 
細井 卓治

細井 卓治 について


出願人/特許権者：
国立大学法人大阪大学

国立大学法人大阪大学 について


代理人 (1件)： 前井 宏之
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-042746
公開番号（公開出願番号）：特開2013-179200
特許番号：特許第5943341号
出願日： 2012年02月29日
公開日（公表日）： 2013年09月09日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 単結晶状GeSn含有材料を製造する製造方法であって、 物理成膜法により、Ge及びSn、あるいはGe、Sn及びSiを保持基板上に蒸着させて、前記保持基板にアモルファス状GeSn含有材料を保持させる用意工程と、 Geの融点よりも低い所定温度まで前記アモルファス状GeSn含有材料を昇温する加熱工程と、 前記アモルファス状GeSn含有材料を冷却する冷却工程と、 を包含し、集光ランプアニール処理を実施することなく、Snが析出する前に前記アモルファス状GeSn含有材料を結晶化して、前記単結晶GeSn含有材料を製造する、単結晶状GeSn含有材料の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 21/20 ( 200 6.01) ,  H01L 29/786 ( 200 6.01) ,  H01L 21/336 ( 200 6.01)
FI (3件)：
H01L 21/20 ,  H01L 29/78 618 B ,  H01L 29/78 627 G
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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