伸張歪ゲルマニウム薄膜の作製方法、伸張歪ゲルマニウム薄膜、及び多層膜構造体

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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-132189
公開番号（公開出願番号）：特開2008-288395
出願日： 2007年05月17日
公開日（公表日）： 2008年11月27日
要約：

【課題】ゲルマニウム錫混晶層の歪緩和を促進し、より大きな面内伸張歪を持つ伸張歪ゲルマニウム層を形成することができる多層膜構造体を提供する。【解決手段】半導体装置に好適な多層膜構造体10の形成方法として、シリコン基板11の上方にゲルマニウム層12を形成する工程と、その上方にゲルマニウム錫混晶層13を形成する工程と、その上方に伸張歪ゲルマニウム層14を形成する工程とを含む。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

半導体素子用の多層膜構造体の形成方法であって、シリコン基板の上方にゲルマニウム層を形成する工程と、その上方にゲルマニウム錫混晶層を形成する工程と、その上方に伸張歪ゲルマニウム層を形成する工程を含むこと特徴とする多層膜構造体の形成方法。

IPC (2件)：

H01L 21/20 , H01L 21/203

FI (2件)：

H01L21/20 , H01L21/203 M

Fターム (21件)：

5F103AA04 , 5F103BB04 , 5F103BB08 , 5F103DD30 , 5F103GG01 , 5F103HH03 , 5F103LL07 , 5F103PP03 , 5F103RR06 , 5F152LL08 , 5F152LN03 , 5F152LN08 , 5F152LN15 , 5F152LN21 , 5F152MM04 , 5F152NN03 , 5F152NN04 , 5F152NN27 , 5F152NN29 , 5F152NP02 , 5F152NQ04

引用特許：

審査官引用 (5件)

特開昭63-169717
特開昭61-105831
特開昭63-108783

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