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J-GLOBAL ID：201902221145951833   整理番号：19A2598341

反応性プラズマプロセスを用いた高移動度IGZO薄膜トランジスタの低温形成

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著者 (6件)： 節原裕一 (阪大 接合研) ,  竹中弘祐 (阪大 接合研) ,  平山裕之 (阪大 接合研) ,  遠藤雅 (阪大 接合研) ,  内田儀一郎 (名城大 理工) ,  江部明憲 (イー・エム・ディー)
資料名： 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
巻： 80th  ページ： ROMBUNNO.18p-C309-12  発行年： 2019年09月04日 
JST資料番号： Y0055B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

本文一部表示： 大画面・高精細・高輝度フラットパネルディスプレイの実現に向けて、制御駆動素子である薄膜トランジスタ(thin-film transistor,TFT)の高性能化が必須とされている。そのTFTのチャネル層材料は低温で形成されることが求められて...【本文一部表示】

シソーラス用語： *薄膜トランジスタ ,  ガリウム化合物 ,  亜鉛化合物 ,  酸化インジウム ,  *半導体薄膜 ,  *低温生成 ,  プラズマ ,  キャリア移動度 ,  酸化インジウム・ガリウム・亜鉛
準シソーラス用語： IGZO【半導体】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (6件)： 反応性プラズマ ,  プロセス ,  高移動度 ,  IGZO ,  薄膜トランジスタ ,  低温形成