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J-GLOBAL ID：201502200591745882   整理番号：15A0937249

極薄Al₂O₃/SiO₂ hybrid BOX層を有する貼り合わせGeOI基板の熱処理による電気特性改善

Improvements of electrical properties of wafer-bonded GeOI substrates with ultrathin Al₂O₃/SiO₂ hybrid BOX layers by post-annealing

著者 (4件)： 吉田啓資 (大阪大 大学院) ,  竹内正太郎 (大阪大 大学院) ,  中村芳明 (大阪大 大学院) ,  酒井朗 (大阪大 大学院)
資料名： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 115  号： 108(SDM2015 38-56)  ページ： 81-86  発行年： 2015年06月12日 
JST資料番号： S0532B  ISSN： 0913-5685  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 大気中,窒素雰囲気中,酸素雰囲気中において300°C-500°Cの温度範囲で熱処理を施したAl₂O₃/SiO₂ hybrid BOX層を有する貼り合わせGeOI基板に対して,四探針型pseudo-MOSトランジスタ法を用いて電気特性評価を行った。400°C熱処理を施した試料で,しきい値電圧の理想値からのずれがより改善し,反転モードの回復の効果が現われた。特に,酸素雰囲気中で熱処理を施した試料において,しきい値電圧の理想値からのずれが最も減少し,蓄積モードのキャリア移動度が最大となった。また,Ge膜厚が薄い試料において,しきい値電圧の理想値からのずれがさらに減少し,蓄積モードと反転モードでのキャリア移動度が増加した。(著者抄録)

シソーラス用語： *素子構造 ,  電気特性 ,  *熱処理 ,  面 ,  酸化膜 ,  膜 ,  アルミナ ,  MOSFET ,  *キャリア移動度
準シソーラス用語： Al2O3 ,  BOX ,  *GeOI構造 ,  ハイブリッド膜 ,  接着界面

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

引用文献 (17件)：

• C. J. Tracy, P. Fejes, N. D. Theodore, P. Maniar, E. Johnson, A. L. Lamn, A. M. Paler, I. J. Malik, and P. Ong, Germanium-on-insulator substrates by wafer bonding, J. Electron. Mater. 33, pp.886-892 (2004).
• G. Taraschi, A. J. Pitera, and E. A. Fitzgerald, Strained Si, SiGe, and Ge on-insulator: review of wafer bonding fabrication techniques, Solid-State Electron. 48, pp.1297-1305 (2004).
• H. Y. Jin, and N. W. Cheung, A New Method to Extract Bulk Carrier Mobility in Germanium-on-Insulator, IEEE Trans. Electron Devices 55, pp.1250-1254 (2008).
• Y. Iwasaki, Y. Nakamura, J. Kikkawa, M. Sato, E. Toyoda, H. Isogai, K. Izunome and A. Sakai, Electrical Characterization of Wafer-Bonded Geranium-on-Insulator Substrates Using a Four-Point-Probe Pseudo-Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, Jpn. J. Appl. Phys. 50, pp.04DA14 1-4 (2011).
• Y. Moriyama, K. Ikeda, Y. Kamimuta, M. Oda, T. Irisawa, Y. Nakamura, A. Sakai and T. Tezuka, Fabrication of bonded GeOI substrates with thin Al₂O₃/SiO₂ buried oxide layers, Solid-State Electronics 83, pp.42-45 (2013).

タイトルに関連する用語 (6件)： Al2O3 ,  SiO2 ,  BOX ,  貼り合わせ ,  熱処理 ,  電気特性