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J-GLOBAL ID：201102211447988918   整理番号：11A0179457

RFマグネトロンスパッタリング法によりGaAs(001)基板上に作製したFe(001)薄膜の磁気特性評価

Crystal Structures and Magnetic Properties of Fe(001) Thin Films on GaAs(001) Deposited by RF Magnetron Sputtering

著者 (7件)： 和田祐也 (山形大 大学院理工学研究科) ,  池谷浩和 (山形大 大学院理工学研究科) ,  高橋豊 (山形大 大学院理工学研究科) ,  稲葉信幸 (山形大 大学院理工学研究科) ,  桐野文良 (東京藝術大 大学院美術研究科) ,  大竹充 (中央大 理工) ,  二本正昭 (中央大 理工)
資料名： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 110  号： 329(MR2010 42-51)  ページ： 59-63  発行年： 2010年12月02日 
JST資料番号： S0532B  ISSN： 0913-5685  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： RFマグネトロンスパッタリング法を用いてGaAs(001)基板上にFe(001)薄膜(膜厚≧6nm)を成膜し,X線回折法(XRD)による結晶構造解析を行いFe薄膜がエピタキシャル成長していることを確認した。磁気特性は振動試料型磁力計(VSM)と強磁性共鳴法(FMR)による測定を行った。膜面平行に磁界を印加したVSM測定による磁化曲線はFe[100]方向が磁化容易方向,[110]方向が磁化困難方向であることを示しており,飽和磁化の値はbulk Feとほぼ同じ大きさを持つことが確認された。またFMRにより測定された面内磁気異方性は,bcc Feに対応する4回対称であり,FMRの共鳴線幅から求めたダンピング定数は極めて小さい値を示した。(著者抄録)

シソーラス用語： RFスパッタリング ,  *マグネトロンスパッタリング ,  ヒ化ガリウム ,  基板 ,  *金属薄膜 ,  *鉄 ,  *強磁性共鳴 ,  結晶構造解析 ,  X線回折 ,  MBE成長 ,  *磁気異方性 ,  磁力計 ,  飽和磁化 ,  減衰定数 ,  磁性薄膜
準シソーラス用語： 面内磁気異方性 ,  振動試料型磁力計

分類 (2件)： 金属薄膜  (BK14030T) ,  金属の磁気異方性・磁気機械効果  (BM06102S)

引用文献 (19件)：

• PRINZ, G. A. Magnetic Metal Films on Semiconductor Substrates. Ultrathin Magnetic Structures. 1994, II, 1
• FILIPE, A. Structure and magnetism of the Fe/GaAs interface. Appl. Phys. Lett. 1997, 70, 129
• XU, Y. B. Evolution of the ferromagnetic phase of ultrathin Fe films grown on GaAs(100)-4×6. Phys. Rev. B. 1998, 58, 890
• SCHONHERR, H. P. Evolution of the surface morphology of Fe grown on GaAs(100), (311)A, and (331)A substrates by molecular beam epitaxy. J. Appl, Phys. 2001, 89, 169
• BERNSTEIN, S. D. Magnetron sputtering of Fe onto GaAs substrates : Energetic bombardment effects. J. Appl. Phys. 1992, 72, 4358

タイトルに関連する用語 (7件)： RFマグネトロンスパッタリング ,  GaAs ,  作製 ,  Fe ,  薄膜 ,  磁気 ,  特性評価