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J-GLOBAL ID：200902224755277204   整理番号：08A0942323

ナノジェットプローブ法によるIn(Ga)As位置制御量子ドットの作製

著者 (6件)： 大河内俊介 (産業技術総合研) ,  大河内俊介 (NEC ナノエレ研) ,  尾崎信彦 (筑波大) ,  杉本喜正 (筑波大) ,  石川浩 (産業技術総合研) ,  浅川潔 (筑波大)
資料名： 応用物理学会学術講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Annual Meeting. Japan Society of Applied Physics)
巻： 69th  号： 1  ページ： 274  発行年： 2008年09月02日 
JST資料番号： Y0055A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *量子ドット ,  *位置制御 ,  噴流 ,  *光ルミネセンス ,  赤外発光スペクトル ,  *ヒ化ガリウムインジウム ,  化合物半導体 ,  片持梁 ,  積層構造 ,  マイクロジェット
準シソーラス用語： *ナノジェットプローブ法

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  半導体のルミネセンス  (BM08092S)

タイトルに関連する用語 (4件)： Ga ,  位置制御 ,  量子ドット ,  作製