特許
J-GLOBAL ID：200903031238901004

ドーパント材料、ドーパント材料の製造方法およびこれを用いた半導体素子

発明者：
日浦 英文

日浦 英文 について

, 
多田 哲也

多田 哲也 について

, 
金山 敏彦

金山 敏彦 について


出願人/特許権者：
日本電気株式会社

日本電気株式会社 について

, 
独立行政法人産業技術総合研究所

独立行政法人産業技術総合研究所 について


代理人 (3件)： 宮崎 昭夫 ,  石橋 政幸 ,  緒方 雅昭
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-001422
公開番号（公開出願番号）：特開2006-190815
出願日： 2005年01月06日
公開日（公表日）： 2006年07月20日
要約：
【課題】 pn伝導型の制御、キャリア密度の制御、さらにゲート電圧閾値の制御を実現できる熱力学的・化学的に安定なドーパント材料やその製造方法を提供し、優れた高速動作性・高集積性を有する実際に動作可能なトランジスタなどの半導体素子を提供することである。【解決手段】 カーボンナノチューブの外周表面に、真空中におけるイオン化ポテンシャルが5.8eV以下であるドナー、または真空中における電子親和力が2.7eV以上であるアクセプターを堆積させたものであり、好ましくはドナーがアルカリ土類金属元素、典型金属元素、ランタノイド金属元素および有機金属化合物からなる群れから選ばれる1種または2種以上を含み、アクセプターがフラーレン類および/またはスーパーハロゲンである。【選択図】 なし
請求項（抜粋）：
カーボンナノチューブの外周表面に、真空中におけるイオン化ポテンシャルが5.8eV以下であるドナー、または真空中における電子親和力が2.7eV以上であるアクセプターを堆積させたものであることを特徴とするドーパント材料。
IPC (3件)：
H01L 29/786 ,  C01B 31/02 ,  H01L 29/06
FI (4件)：
H01L29/78 618B ,  C01B31/02 101F ,  H01L29/06 601N ,  H01L29/78 618F
Fターム (34件)：
4G146AA11 ,  4G146AA15 ,  4G146AA16 ,  4G146AA19 ,  4G146AB06 ,  4G146AD30 ,  4G146CB16 ,  4G146CB19 ,  4G146CB23 ,  4G146CB32 ,  4G146CB34 ,  4G146CB35 ,  5F110AA01 ,  5F110AA30 ,  5F110BB04 ,  5F110CC03 ,  5F110CC07 ,  5F110DD05 ,  5F110EE02 ,  5F110EE08 ,  5F110EE14 ,  5F110FF02 ,  5F110GG01 ,  5F110GG22 ,  5F110GG25 ,  5F110GG28 ,  5F110GG30 ,  5F110GG32 ,  5F110GG44 ,  5F110GG51 ,  5F110GG55 ,  5F110HK02 ,  5F110HK04 ,  5F110HK21
引用特許：
出願人引用 (8件)
全件表示
審査官引用 (6件)
全件表示
引用文献：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (1件)

前のページに戻る

TOP

BOTTOM