特許
J-GLOBAL ID:200903095060565640

散乱型近接場顕微鏡用プローブの製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (4件): 川口 嘉之 ,  松倉 秀実 ,  和久田 純一 ,  遠山 勉
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2007-332023
公開番号(公開出願番号):特開2009-156601
出願日: 2007年12月25日
公開日(公表日): 2009年07月16日
要約:
【課題】シリコン以外の材質のプローブを、シリコンと同様に加工性良く製造する。【解決手段】シリコン製のプローブを用意し、これに1100°Cの蒸気雰囲気下で熱酸化処理を施すことで、プローブをSiO2に変質させる。これによって、シリコンを加工したときの形状を保ったまま、SiO2とすることができるので、先端が尖鋭なSiO2製のプローブを得ることができる。【選択図】図1
請求項(抜粋):
Si製のプローブを用意する工程と、 前記Si製のプローブを熱酸化させる工程と、 を含む、散乱型近接場顕微鏡用プローブの製造方法。
IPC (1件):
G01N 13/14
FI (1件):
G01N13/14 101C
引用特許:
出願人引用 (1件) 審査官引用 (10件)
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