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J-GLOBAL ID：201702238911926861   整理番号：17A0222133

高再現性の分子エレクトロニクスのための単分子接合におけるサイト選択

Site-Selection in Single-Molecule Junction for Highly Reproducible Molecular Electronics

著者 (10件)： KANEKO Satoshi (Tokyo Inst. of Technol., Tokyo, JPN) ,  MURAI Daigo (Tokyo Inst. of Technol., Tokyo, JPN) ,  MARQUES-GONZALEZ Santiago (Tokyo Inst. of Technol., Tokyo, JPN) ,  NAKAMURA Hisao (National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN) ,  KOMOTO Yuki (Tokyo Inst. of Technol., Tokyo, JPN) ,  FUJII Shintaro (Tokyo Inst. of Technol., Tokyo, JPN) ,  NISHINO Tomoaki (Tokyo Inst. of Technol., Tokyo, JPN) ,  IKEDA Katsuyoshi (Nagoya Inst. of Technol., Nagoya, JPN) ,  TSUKAGOSHI Kazuhito (National Inst. for Materials Sci., Ibaraki, JPN) ,  KIGUCHI Manabu (Tokyo Inst. of Technol., Tokyo, JPN)
資料名： Journal of the American Chemical Society  (Journal of the American Chemical Society)
巻： 138  号： 4  ページ： 1294-1300  発行年： 2016年02月03日 
JST資料番号： C0254A  ISSN： 0002-7863  CODEN： JACSAT  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 分子エレクトロニクスでは,分子吸着を利用して,分子素子などが形成されている。分子の吸着特性が電気的特性/光学的特性や分子-金属界面の安定性に影響する。このため,分子吸着部位の選択性が有機エレクトロニクス,触媒,生物学などの分野において重要となる。分子吸着部位のサイト選択性を評価するために,計測方法について検討した。計測方法として,表面増強ラマン散乱測定と電流電圧測定を同時に行うハイブリッド方法を開発した。この方法の原理を説明し,性能を検証した。ハイブリッド方法で単一分子接合部での単一サイト選択を評価した。1,4-ベンゼンジチオールの分子接合の応答を解析し,異なる吸着部位から生じる3つの準安定状態を明確化した。また,相関SERS測定から,吸着部位の1つである架橋部位に対する選択性を示した。部位選択性は,金属表面上で分子接合を導く重要な特性であった。単一分子接合での光学特性と電子特性との相互依存性を示した。

シソーラス用語： *マイクロエレクトロニクス ,  ナノ構造 ,  *分子間相互作用 ,  接合 ,  有機半導体 ,  表面増強Raman散乱 ,  準安定状態 ,  電流電圧特性 ,  *化学吸着 ,  *表面増強Raman分光法
準シソーラス用語： サイト選択 ,  単分子 ,  *分子エレクトロニクス ,  *分子接合 ,  有機エレクトロニクス

分類 (2件)： 吸着の電子論  (CB12042Y) ,  赤外・遠赤外領域の分光法と分光計  (BD07042H)

物質索引 (1件)： 1,4-ベンゼンジチオール

タイトルに関連する用語 (4件)： 再現性 ,  分子エレクトロニクス ,  単分子接合 ,  サイト選択