抄録/ポイント:
抄録/ポイント
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MgB2薄膜を用いた線材を開発するため,厚さ40μmのCuテープ上に厚さ10μmのMgB2膜を形成し,SEM,XRD,TEMなどによる膜構造評価および,磁化法によるTc測定,通電法によるJc-B-T特性などの評価を行った。Cuテープ上に形成した膜は厚さ500μmのCu板上に形成した膜に比べ結晶性が低下し,Tcでの磁化率変化の急峻性や,自己磁場でのJc値は低下したが,膜面に垂直な磁場方向のJcは高磁場で向上した。その結果,20K,5TでのJcはCu板上の6,000A/mm2からCuテープ上で14,000A/mm2に向上し,最大ピン力が得られる垂直磁場も1.5Tから3Tに向上した。講演では,膜構造評価結果などからJc-B-T特性が向上した要因について議論する。(著者抄録)