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J-GLOBAL ID：201702255406458448   整理番号：17A0318073

レーザ干渉リソグラフィーと湿式エッチングによるナノ開口を有する逆ピラミッドピットの作製【Powered by NICT】

Fabrication of inverted pyramidal pits with Nano-opening by laser interference lithography and wet etching

著者 (7件)： Quan Baogang (Beijing National Laboratory for Condensed Matter Physics, Institute of Physics, Chinese Academy of Sciences, Beijing, 100190, China) ,  Yao Zehan (Beijing National Laboratory for Condensed Matter Physics, Institute of Physics, Chinese Academy of Sciences, Beijing, 100190, China) ,  Sun Weijie (Beijing National Laboratory for Condensed Matter Physics, Institute of Physics, Chinese Academy of Sciences, Beijing, 100190, China) ,  Liu Zhe (Beijing National Laboratory for Condensed Matter Physics, Institute of Physics, Chinese Academy of Sciences, Beijing, 100190, China) ,  Xia Xiaoxiang (Beijing National Laboratory for Condensed Matter Physics, Institute of Physics, Chinese Academy of Sciences, Beijing, 100190, China) ,  Gu Changzhi (Beijing National Laboratory for Condensed Matter Physics, Institute of Physics, Chinese Academy of Sciences, Beijing, 100190, China) ,  Li Junjie (Beijing National Laboratory for Condensed Matter Physics, Institute of Physics, Chinese Academy of Sciences, Beijing, 100190, China)
資料名： Microelectronic Engineering  (Microelectronic Engineering)
巻： 163  ページ： 110-114  発行年： 2016年 
JST資料番号： C0406B  ISSN： 0167-9317  CODEN： MIENEF  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,三次元(3D)容器の製造プロセス,逆ピラミッドピット(IPP)と結合レーザ干渉リソグラフィーと異方性湿式エッチングプロセスにより作製したナノサイズの開口部を有するキャップで構成されているを示した。この方法の利点は,角錐形のピットおよびナノ開口の直径とそのウエハスケール作製プロセスの調整可能な体積である。この3D容器の光学特性を実証するために,Au膜は,ナノサイズの開口部を通る構造上に堆積したAuホールアレイ上とAu逆円錐下を含む3Dプラズモンナノ構造を形成した。Au膜厚の増加と共に吸収ディップの青方偏移は,3Dプラズモンナノ構造の反射スペクトルを研究で観察した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 金 ,  *ウェットエッチング ,  ナノ構造 ,  *開口 ,  膜厚 ,  角錐 ,  円錐 ,  三次元 ,  青方偏移 ,  光学的性質 ,  プラズモン ,  生産工程 ,  反射スペクトル
準シソーラス用語： ホールアレイ ,  *レーザ干渉リソグラフィー , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (5件)： レーザ干渉リソグラフィー ,  湿式エッチング ,  ピラミッド ,  ピット ,  作製