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J-GLOBAL ID：201702289545503680   整理番号：17A0318065

16/14nmノードFinFET技術のための高誘電率誘電体と金属ゲートを用いたSiGe選択エピタキシャルプロセス統合の研究【Powered by NICT】

Study of SiGe selective epitaxial process integration with high-k and metal gate for 16/14nm nodes FinFET technology

著者 (16件)： Wang Guilei (Key Laboratory of Microelectronics Devices & Integrated Technology, Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100029, PR China) ,  Qin Changliang (Key Laboratory of Microelectronics Devices & Integrated Technology, Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100029, PR China) ,  Yin Huaxiang (Key Laboratory of Microelectronics Devices & Integrated Technology, Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100029, PR China) ,  Luo Jun (Key Laboratory of Microelectronics Devices & Integrated Technology, Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100029, PR China) ,  Duan Ningyuan (Key Laboratory of Microelectronics Devices & Integrated Technology, Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100029, PR China) ,  Yang Ping (Singapore Synchrotron Light Source (SSLS), National University of Singapore, 5 Research Link, Singapore 117603, Singapore) ,  Gao Xingyu (Shanghai Synchrotron Radiation Facility (SSRF), Shanghai Institute of Applied Physics, Chinese Academy of Sciences, Shanghai 201204, PR China) ,  Yang Tao (Key Laboratory of Microelectronics Devices & Integrated Technology, Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100029, PR China) ,  Li Junfeng (Key Laboratory of Microelectronics Devices & Integrated Technology, Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100029, PR China) ,  Yan Jiang (Key Laboratory of Microelectronics Devices & Integrated Technology, Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100029, PR China) ,  Zhu Huilong (Key Laboratory of Microelectronics Devices & Integrated Technology, Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100029, PR China) ,  Wang Wenwu (Key Laboratory of Microelectronics Devices & Integrated Technology, Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100029, PR China) ,  Chen Dapeng (Key Laboratory of Microelectronics Devices & Integrated Technology, Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100029, PR China) ,  Ye Tianchun (Key Laboratory of Microelectronics Devices & Integrated Technology, Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100029, PR China) ,  Zhao Chao (Key Laboratory of Microelectronics Devices & Integrated Technology, Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100029, PR China) ,  Radamson Henry H. (Department of Integrated Devices and Circuits, KTH Royal Institute of Technology, Isafjordsgatan 22-26, 16440 Kista, Sweden)
資料名： Microelectronic Engineering  (Microelectronic Engineering)
巻： 163  ページ： 49-54  発行年： 2016年 
JST資料番号： C0406B  ISSN： 0167-9317  CODEN： MIENEF  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,ソース/ドレイン領域にSiGe選択エピタクシー,高kおよびメタルゲートを持つFinFET1614nmノードのプロセス統合を提示した。ホウ素濃度1×10~20cm~ 3で選択的に成長させたSi_1 xGe_x(0.35≦×≦0.40)はトランジスタのソース/ドレインを評価するために使用した。選択的に成長させたSiGe層のエピ層の品質,層プロファイルと歪量も種々のキャラクタリゼーションによって調べた。エピタクシー前にSiフィンをその場清浄するために一連の予備ベーキング実験を740から825°Cまでの温度範囲で行った。結果は熱収支はSiフィンの形状への損傷を避けるためにではなく,高エピタキシャル品質に必須である効果的に自然酸化物を除去するために780 800°Cに限定する必要があることを示した。Siフィン上のSiGe層中のGe含有量を,シンクロトロン放射を用いた逆格子空間マッピングによって直接測定された歪から決定した。原子層蒸着法はWF_6とB_2H_6前駆体を用いたWゲート溝を埋めるために適用した。このようなA LDアプローチにより,かなり高アスペクト比ゲートトレンチ中のWの妥当な成長速度,低抵抗率及び優れたギャップ充填能力を実現した。作製したFinFETは優れた電気特性を示した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： フィン ,  *ゲルマニウム ,  成長速度 ,  シンクロトロン放射 ,  キャラクタリゼーション ,  熱収支 ,  電気抵抗率 ,  *ケイ素 ,  *エピタクシー
準シソーラス用語： 高アスペクト比 ,  *プロセス統合 ,  *シリコンゲルマニウム ,  *メタルゲート ,  *高誘電率 ,  *FinFET , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： FinFET ,  SiGe選択エピタクシー ,  RPCVD ,  高誘電率と金属ゲート

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (9件)： ノード ,  FinFET ,  高誘電率 ,  誘電体 ,  金属ゲート ,  SiGe ,  エピタキシャル ,  プロセス統合 ,  研究