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J-GLOBAL ID：201002211648568235   整理番号：10A1103975

極低窒素濃度GaAsN中の等電子トラップからの発光に対する一軸応力の影響

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著者 (8件)： 新井佑也 (埼玉大 大学院) ,  遠藤雄太 (埼玉大 大学院) ,  八木修平 (埼玉大 大学院) ,  土方泰斗 (埼玉大 大学院) ,  窪谷茂幸 (東大) ,  尾鍋研太郎 (東大) ,  片山竜二 (東北大 金属材料研) ,  矢口裕之 (埼玉大 大学院)
資料名： 応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts of the Meeting. Japan Society of Applied Physics (CD-ROM))
巻： 71st  ページ： ROMBUNNO.14P-ZV-2  発行年： 2010年08月30日 
JST資料番号： Y0055B  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： ガリウム化合物 ,  ヒ化物 ,  窒化物 ,  捕獲中心 ,  *圧縮応力 ,  異方性 ,  *光ルミネセンス ,  スペクトル線分裂 ,  化合物半導体 ,  赤外発光スペクトル ,  *等電子トラップ ,  面内異方性 ,  *ヒ化窒化ガリウム
準シソーラス用語： 混晶 ,  *窒化ヒ化ガリウム ,  *一軸性

分類 (2件)： 半導体のルミネセンス  (BM08092S) ,  固体の機械的性質一般  (BL01021C)

タイトルに関連する用語 (3件)： 窒素濃度 ,  等電子トラップ ,  一軸応力